基于SOC应用的NiZn铁氧体薄膜研究-电子信息材料与元器件专业论文.docxVIP

独 创 性 声 明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作 及取得的研究成果。据我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方 外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为 获得电子科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与 我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的 说明并表示谢意。 签名： 日期： 年 月 日 论 文 使 用 授 权 本学位论文作者完全了解电子科技大学有关保留、使用学位论文 的规定，有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘， 允许论文被查阅和借阅。本人授权电子科技大学可以将学位论文的全 部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或扫描 等复制手段保存、汇编学位论文。 (保密的学位论文在解密后应遵守此规定) 签名： 导师签名： 日期： 年 月 日 摘 要 摘 要 薄 膜 磁 性 器 件 是 单片 集 成 电 路 MICs(Monolithic Integrated Circuits) 中实现 SOC(System on chip)技术的关键元件，而应用于其中的NiZn铁氧体薄膜是决定其性 能的支撑性材料。当前对NiZn铁氧体薄膜的研究主要集中于优化制备工艺和提高 磁性能等基础性研究。 本论文以射频磁控溅射法为薄膜制备方法，以 NiZn 铁氧体薄膜为主要研究对 象，主要研究内容和结论包括： (1)通过 X 射线衍射法计算了 NixZn1-xFe2O4 阳离子占位，并与 Ni0.6Zn0.4Fe2O4 的穆斯堡尔谱分析结果对比。结果表明，少量的 Ni2+占 A 位，Fe3+在 A、B 位的计 算误差分别为 6.5%和 2.0%，计算值与实测值获得了很好的吻合。 (2)研究了不同基片对 NiZn 铁氧体薄膜取向生长及磁性能的影响。MgAl2O4 基片因为与 NiZn 铁氧体薄膜具有相似的晶体结构而对 NiZn 铁氧体薄膜具有强烈 的诱导生长作用。较小的晶格失配度是薄膜获得较大饱和磁化强度的主要原因。 矫顽力主要由薄膜与衬底之间热膨胀系数的差异导致的热应力决定。 (3)研究了热处理工艺对薄膜磁性能、相结构及显微结构的影响。最优热处理 工艺为退火温度 800℃下保温 120min。基于矫顽力的应力模型，探讨了薄膜内禀 应力和热应力与薄膜矫顽力的作用关系。结合 Tradition Phenomenological Rate Equation (TPRE)，研究了 600、700、800、900℃下 Ni0.5Zn0.5Fe2O4 铁氧体薄膜的晶 粒生长动力学。其物质传输机制不同于块材或纳米晶，晶粒生长激活能分别为为 22.75、42.52、56.32、85.54KJ/mol，远小于块材的晶粒生长激活能。 (4)研究了利用 ZnFe2O4 缓冲层制备高度取向生长 NiZn 铁氧体薄膜的方法。首 先通过低功率射频磁控溅射法，在 Si(100)、Si(111)和 SiO2(500nm)/Si(111)基片上 用 80W 的溅射功率制备了沿{111}面单一取向生长的 ZnFe2O4 铁氧体薄膜，然后在 60W-160W 的溅射功率下沉积了 Ni0.5Zn0.5Fe2O4/ZnFe2O4/Si(111)薄膜，在缓冲层的 诱导作用下，获得了沿{111}面取向较好的 Ni0.5Zn0.5Fe2O4 薄膜。 关键词：射频磁控溅射法，NiZn 铁氧体薄膜，晶粒生长动力学，ZnFe2O4 缓冲层， 取向生长 I ABSTRACT ABSTRACT The devices based on ferromagnetic thin film has been a key of a Monolithic Integrated Circuits (MICs) technology to SOC (System On Chip), the NiZn ferrite thin film used in them is the support material whch determines their performance, the current research focuses on improving performance and optimization of NiZn ferrite film preparation process. This paper addresses the RF magnetron sputtering as the main method, NiZn ferrite film as the main object, the content and conclusions include: The cations occup