基于SOI材料的集成可调谐光衰减器的研究-微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

基于SOI材料的集成可调谐光衰减器的研究摘 基于SOI材料的集成可调谐光衰减器的研究 摘 要 可调谐光衰减器是光网络中最基本的光器件之一，本文提出了一种新型基于SOI 材料的电注入的集成可调谐光衰减器，介绍了可调谐光衰减器的设计原理和器件结 构，提出了器件的近似分析模型，分析和优化了影响器件衰减特性的结构和工艺参数， 分析了器件的注入载流子分布、插入损耗和响应时间，介绍了器件的制作工艺，最后 给出器件的测试结果。具体内容包括： 介绍了硅(SOD材料的性质，分析了基于SOI材料实现可调谐光衰减器的技术 方案的选择。直波导结构的可调谐光衰减器具有结构简单、插入损耗小、工艺容差大、 有利于降低成本和提高成品率等优势，因此我们在设计中采用了直波导结构。 详细介绍了PIN结载流子注入理论，总结和分析了广泛应用的脊型波导横向PIN 结构的性质，在此基础上提出了新型的双脊波导横向PIN结构。双脊波导横向PIN 结构可以进一步增大载流子的注入面积，提高载流子的利用率。为了减小单模脊型波 导和双脊波导的模式耦合损耗，根据模斑转换器的思想，在器件中设计了渐变双脊波 导区。整个器件包含输入／输出波导、渐变双脊波导区和调制区三个部分。 通过近似处理，提出了双脊波导横向PIN结构的分析模型，并根据分析模型优化 了影响可调谐光衰减器衰减特性的掺杂深度、掺杂浓度、本征区半长等参数，给出了 优化后的参数值。分析了器件的注入载流子分布、插入损耗和响应时间。 给出了器件制作的完整的工艺流程，重点介绍了光刻、热扩散、刻蚀光波导、端 面抛光等器件制作的关键工艺，并根据可调谐光衰减器制作的特殊要求确定了相应的 工艺参数，最后给出器件的制作结果。 介绍了器件的电学特性、衰减特性、插入损耗、响应时间、偏振相关损耗等主要 测试参数，给出了相应的测试结果，并对测试结果进行了分析。该可调谐光衰减器衰 减量可达20dB，对应最大功耗约为650mW，器件的芯片上插入损耗约为4dB，响应时 间小于800#s，偏振相关损耗小于O．4dB，可以通过改进设计和工艺进一步降低器件 的电功耗和插入损耗。 关键词： 可调谐光衰减器SOI PIN结双脊波导 A A novel integrated variable optical attenuator based on SOI material Han Xiaofeng(micro electronics and solid—state electronics) Directed by Professor Wu Yarning ABSTRACT Variable optical attenuator is of the most important optical devices in optical networks．In this thesis，a novel integrated VOA based SOI material is proposed．We introduced the principle and framework of the device as well as the process methods．We put forward model to approximately analyze and optimize the device．Finally,we presented the result ofthe device． The electro—optical effects in silicon and SOI material introduced．We analyzed the methods realized the VOA．VOA with straight waveguide structure has advantages such simple structure，low insert loss，high tolerance，low cost and high yield．We used tiffs structure design device， After analyzed the characteristics of PIN junction rib waveguide，we put forward new type PINjunction which is formed double—rib waveguide，Tile new structure enlarge the injection and accordingly enhance the efficiency of the charge carriers utilization．We designed tapered wave