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第三章 逻辑门 3.1 MOS管的开关特性 3. N沟道耗尽型和P沟道耗尽型区别：耗尽型MOS管在VGS=0时就已经有导电沟道存在 3.2 CMOS门电路 3.2.1 CMOS反相器和传输门 1. CMOS反相器 (1) 电路结构 电压、电流传输特性 2. CMOS传输门 开关状态由加在P和N的控制信号决定。 当P=0V，N=VDD时，两个MOS管均导通，A-B接通。 当P=VDD，N=0V时，两个MOS管均截止，A-B断开。 3.2.2 CMOS与非门、或非门和异或门 由反相器、传输门、与非门、或非门可以组成其他逻辑功能的门电路或逻辑电路。 通常在集成电路芯片的每个输入和输出端内部都接有标准参数的反相器。 三态门的用途：总线连接 2. 漏极开路输出的门电路 RP的计算方法: 将n个OD门接成“线与”结构，并考虑存在负载电流IL的情况下，电路如图所示 漏极开路输出的CMOS门电路的用途：接成总线结构 3.2.4 CMOS电路的静电防护和锁定效应 1. 静电防护 为了防止静电击穿，在CMOS集成电路的每个输入端都设置了输入保护电路。 2. 锁定效应 当CMOS电路的输入端或输出端出现瞬时高压时，有可能使电路进入这样一种状态，即电源至电路公共端之间有很大的电流流过，输入端也失去了控制作用。 通过改进制造工艺，已经可以