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前后电极形成机理 中科院电工所 王文静 一、前电极形成机理 丝印银栅线电极接触 银栅线中的主要成分 厚膜银电极的基本形成过程 厚膜银电极的基本形成过程 厚膜银电极的基本形成过程 厚膜银电极的基本形成过程 厚膜银电极的基本形成过程 电接触的形成 电接触的形成 电接触的形成 电流输运机制 新的研究进展 新的研究进展 新的研究进展 问题的讨论 玻璃料进入硅中的机理？ 为什么银结晶会生长进入硅发射结中？ 电流输运机理的特性是什么？ 方法：? 将竞争的过程分开 ? 集中在玻璃料上 玻璃料进入硅中的机理（无银） 厚膜银电极的基本形成过程（新理解） 厚膜银电极的基本形成过程（新理解） 厚膜银电极的基本形成过程（新理解） 厚膜银电极的基本形成过程（新理解） 厚膜银电极的基本形成过程（新理解） 厚膜银电极的基本形成过程（新理解） 形成机理的证据 硅和金属氧化物反应： 这种反应形成了腐蚀坑，在降温过程中Ag颗粒在这些腐蚀坑附近再结晶 Ag的沉积过程 Ag晶粒的析出机理 （1）与PbO和Si发生的氧化还原反应类似，玻璃料中的Ag2O与Si发生如下反应： Ag2O+Si —— Ag+SiO2 （2）Ag和被腐蚀的Si 同时融入玻璃料中。冷却时，玻璃料中多余的Si外延生长在基体上，Ag晶粒则在Si表面随机生长。 （3）在烧结过程中通过氧化还原反应被还原出的金属Pb呈液态，当液态铅与银相遇时，根据Pb-Ag 相图银粒子融入铅中形成 Pb-Ag相。Pb-Ag熔体腐蚀Si的100晶面。冷却过程中, Pb和Ag发生分离，Ag在111晶面上结晶 ，形成倒金字塔形 。 形成机制小结 从Ag-Si相图看银的溶解与再结晶 电流输运模型 导电机理 结论 厚膜接触及其形成的模型细节： 硅的腐蚀是通过在Si和MO x,glass之间发生氧化还原反应进行的 银的结晶生长进入发射结是由于一种通过玻璃料的输运过程进行的 两种可能的电流输运：1. 直接接触 2. 通过玻璃料 需要进一步讨论的问题： 什么是银生长的机理？ 再结晶的银与栅线电极之间的电流输运特性是什么？ 不同的烧结温度造成的硅表面腐蚀坑的面积不同 接触电阻与烧结温度的关系 几点结论： Ag厚膜与Si接触的面积受温度影响很大。接触电阻随着Ag厚膜与Si直接接触的面积增大而增大。 在玻璃料中添加物和掺杂可以降低烧结峰温，且随着添加物和掺杂的增加，烧结峰温降低的越大，电学性能也得到提高。 具有低玻璃转变温度的玻璃料，软化的早，溶解的银多，形成的玻璃层较厚，造成接触电阻高。具有高玻璃转变温度的玻璃料软化的较晚，溶解的银也较少，在银与衬底之间形成的玻璃层较薄，与Si形成的欧姆接触很好。 参考资料 G. Schubert, F.Huster, P.Fath: 14th International PVSEC-14, Bankok, Thailand, 2004 R. Mertens, et al, 17th IEEE PVSEC 1984 R. Roung, et al, 16th EC PVSEC 2000 K. Firor, et al, 16th IEEE PVSEC 1982 T. Nakajima, et al, Int. J. Hybrid Microelect., 6, 1983 C. Ballif, et al, 29th IEEE PVSEC 2002 Schubert, et al., PV in Europe, 2002 C. Ballif, et al, Appl. Phys. Lett., 82, 2003 一个悬而未决的问题 对于过烧结样品会出现短路，表明Ag可能穿透了PN结，其原因是： Ag原子扩散穿透了PN结呢？ 还是Ag-Pb溶液对硅表面的腐蚀坑过深穿透PN结？ 二、背电极形成机理 烧结机理的说明 铝浆包含有1~6?m的Al颗粒、玻璃料以促进烧结、有机粘结剂和溶剂。在干燥之后，有机溶剂被烧掉，留下一种多孔的网络状的结构，有60~70%被填充，这种网状结构被有机粘结剂沾附在硅表面。此时沉淀的铝大约7mg/cm2，厚度大约40 ?m 。 在burn-out阶段之后，在660oC时Al融化，此时，由于相变潜热形成一个小的平台。同时，在每个铝颗粒的周围形成一个Al2O3的壳。熔融的Al：(1)可以穿透颗粒与硅之间的界面与硅接触形成合金；(2)可以穿透相邻颗粒之间的界面。有两点注意： 在此阶段，Al-Si合金化是发生在局部区域的，还没有使熔融的Al覆盖在整个硅表面。 局域氧化层在整个烧结过程中不断加厚以维持网络状结构，颗粒在整个烧结过程中的维持在