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抗单粒理子翻转sram
复 旦
复 旦 大 学 硕 士 学 位 论 文
摘 要
相 较 于 其 他 各 类 在 辐 射 环 境 中使 用 的 芯 片 ,基 于 SRAM 结 构 FPGA 具 有 高 逻 辑 密 度 ,低 成 本 和 发 射 后 可 修 正 与 任 务 更 新 的特 有 优 势 ,但 存 在 更 易 受 单 粒 子 翻 转 效 应 影 响 的 问 题 。 由 于 我 国 在 此 类 技 术 上 还 处 于 探 索 阶 段 , 因 此 如 何 对 SRAM一b a se d FPGA 进 行 单 粒 子翻 转 方 面 的加 固 并 进 行 有 效 的测 试 评 估 成 为 一 个 迫 切 需 要 解 决 的 问题 。
为 摆 脱 受 制 于 人 的 局 面 ,令 我 国基 于 S RAM 结 构 的 FG PA 在 辐 射 环 境 中 得 到 更 好 的应 用 ,对 单 粒 子 现 象 及 其 在 辐 射 环 境 中对 于 芯 片 产 生 的单 粒 子 效 应 进 行 了研 究 和 分 析 ,同 时 进 行 了多 种 尝试 ,设 计 了一 个 可 以对 基 于 S RA M 结 构 的 FPGA 进 行 单 粒 子 加 固 ,并 可 对 单 粒 子 加 固效 果 进 行 测 试 的 系 统 。使 用 该 系 统 对 Xi l inx 公 司 的 XC v 30 0 芯 片 进 行 了误 差 注 入 仿 真 试 验 , 根 据 辐 照 实 测 同类 电路 在 特 定 注 量 率 下 的 单 粒 子 翻 转 截 面 , 预 估 产 生 功 能 错 误 截 面 并 与 辐 照 试 验 测 试 结 果 进 行 比 较 ,对 测 试 系 统 进 行 一 个 评 估 。
论 文 的 主 要 工 作 包 括 :研 究 总 结 了 SRA M一b ased FPGA 中 的单 粒 子 翻 转 (s ing le
eve nt 叩 se t,SE U) 的效 应 机 理 、 以及 相 应 的 S EU 加 固与 测 试 的 原 理 与 方 法 ; 设 计 了一 个 可 对 FPG A 芯 片 进 行 单 粒 子 加 固 , 兼 具 单 粒 子 辐 射 试 验 与 误 差 注 入 仿 真
功 能 的加 固 与 测 试 系 统 。包 括 PC 控 制 端 软 件 、系 统 测 试 PCB 和 相 关 的测 试 电路 结 构 ; 使 用 自行 设 计 的测 试 系 统 对 待 测 FP GA 进 行 了误 差 注 入 仿 真 , 并 与 相 关 的 辐 射 试 验 测 试 结 果 进 行 了 比较 和 分 析 。
论 文 所 设 计 的 测 试 系 统 可 更 方 便 的进 行 远 距 离 控 制 与 电路 配 置 更 新 ,从 而 可 降低 测 试 复 杂 性 ,侧 重 于 完 善 仿 真 注 入 系 统 。对 SRAM 一b a sed FPGA 而 言 ,配 置 位 翻 转 的概 率 与 具 体 电路 结 构 无 关 ,而 只 与 注 入 粒 子 参 数 有 关 (包 括 注 量 率 、入 射 角 度 、 入 射 面 积 等 )。鉴 于 此 ,可 以针 对 特 定 的注 入 粒 子 进 行 仿 真 即 可 模 拟 得 到 S RA M 一b a se d FP GA 不 同 电路 在 辐 照 试 验 情 况 下 的 大 致 情 况 , 能 够 为 在 辐 照 环 境 下 工 作 的 电路 提 供 非 常 有 用 设 计 参 考 。
关 键 词 : 基 于 静 态 随机 存 储 器 结 构 的 ; 现 场 可 编 程 门 阵列 ; 单 粒 子 效 应 ; 单 粒 子 加 固 ; 三 模 冗 余 ; 回 读 重 配 ; 误 差 注 入
中 图分 类 号 : TN4
白
复 旦
复 旦 大 学 硕 士 学 位 论 文
A b str a c t
C o m P a re d to o th e r e h iP s u se d u n d e r ra d ia tio n e n v iro nm e n t,S R A M 一b a se d F P G A h a s a n a d v a n ta g e o f la rg e in te g rate d sc a le ,lo w c o st a n d re 一e o n fig u ra tio n a fte r fae ility
la u n e h in g . H o w e v e r,th is stru e tu re 15 m o re e a sily in flu e n e
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