半导体光催化基础第四-纳米二氧化钛.pptVIP

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  • 2019-01-02 发布于浙江
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半导体光催化基础第四-纳米二氧化钛.ppt

半导体光催化基础第四-纳米二氧化钛

第四章 纳米半导体与 纳米二氧化钛 4.2 半导体超微粒效应 4.2.1 量子尺寸效应 当半导体颗粒的尺寸小到纳米尺度,即光生电子和空穴的波函数尺寸可与颗粒的物理尺度相比拟时,光生载流子的运动在三维方向受到量子限域,相对于包含有无数个原子(即导电电子数N→∞)的块体材料来说,由于纳米颗粒中原子聚集数有限,即N值很小,随粒径减小,则逐步显示出分子能级特征,因而大块晶体的准连续能带变成具有分子特性的分立能级结构,带隙也随之变宽,出现了新的跃迁规律和吸收光谱带兰移,这种现象称为量子尺寸效应 。 4.2.2 表面效应 随着半导体微粒尺寸的减小,粒子中包含的原子数目也相应减少,但表面原子所占的比例却迅速增大。如1~10nm的超微粒中,所包含的原子数目小于103~104个时,表面原子占原子总数的比例为: 4.2.2 表面效应 表面原子数目的增加,意味着表面不饱和键浓度和表面态密度的增高,这种高表面能的表面极不稳定,易与其他原子结合,因而有更多的表面原子参与反应,将会显著提高材料的利用效率和反应速度。 其次,随着纳晶粒子粒粒径的减小,比表面则急剧增高,如粒径为10nm时,比表面为90m2/g,粒径为5 nm时,比表面增至180 m2/g,粒径再下降到2 nm时,比表面猛增至450 m2/g,这种巨大的表面积亦为光催化的反应的进行提

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