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现代信息技术及展趋势
到2012年,半导体工艺已达到22纳米,而最终可能达到10纳米,使电路集成度达到1T即1000G(1G=1000M)级晶体管数。 建造一个300毫米园片、90纳米工艺的制造厂,需要25亿美元的投资。如果要始终保持最新的工艺技术水平,平均每年至少要投资15亿美元。 超紫外线蚀刻技术 晶体管技术的不断发展,使得目前半导体工业广泛使用的可见光电路印刷技术也遭遇瓶颈,在未来3~4年内将会达到物理极限。超紫外线蚀刻技术则采用非可见光——超紫外线蚀刻(EUVL)电路,由于超紫外线的波长要短于可见光,因此,这种技术刻写的“线条”更细,可以在较小的面积上集成更多的电路。 利用这种超紫外线蚀刻技术,半导体厂商可以在芯片上蚀刻的线路等级低于0.1微米,甚至可以达到0.03微米。EUVL技术已进入实用,应用于30~45纳米工艺中。EUVL是未来延续摩尔定律的一种关键技术。 SoC引领嵌入式处理器的发展 2013年手机市场或许要迈向8核CPU,谁是这场疯狂“核战争”的始作俑者?小米、海思与MTK? 中科院计算所的龙芯3B,是首款国产商用8核处理器,主频达到1GHz ,峰值计算能力达到128GFLOPS ,主要用于高性能计算机、高性能服务器、数字信号处理等领域。 5、计算机动画与仿真 射频识别(射频标签)RFID RFID(Radio Frequency Identification),射频识别)带芯片的条码,被认为将最终取代传统的条形码,其影响将会深刻而久远。 RFID应用:物流管理,生产制造与装配,行李、邮件和包裹处理,身份识别、防伪、门禁和防盗系统,文档追踪/图书馆管理,交通管理与城市规划,服务体验与CRM等。 全光网络 全光网即端到端的全光路,中间没有光电转换器。在各网络节点的交换则使用高可靠、大容量和高度灵活的光交叉连接设备。全光网与现有光纤网的区别之一是全光通过波长选择器件来实现路由选择。其二是信号传输无电中继。另外全光网还具有可扩展性、可重构性、可操作性等特点。 未来的全光网将是一个巨大的宽带网,具备以往通信网和现行光通信系统所不具备的优点,如简单可靠、可扩展性好、透明传输、灵活重组、快速恢复、可提供多种业务等。 实现骨干速率为Tbit级的互联网 10、网格计算和云计算 什么是网格计算(Grid Computing) 网格是集成网上的计算机资源,包括各种计算资源、网络通信能力、数据资料、仪器设备,甚至是人等各种相关资源。网格计算使我们能像使用一台计算机那样使用Internet中的各种资源,它代表了人们对于Internet环境下更高层次的资源共享、协同工作的追求。 什么是云计算(Cloud Computing) 云计算就是如何更有效地利用互联网上的资源,就像煤气、水电一样,取用方便,费用低廉。必须由像谷歌、IBM这样的专业公司来构建云操作系统,管理网上资源,用户通过网络访问,实现云资源利用。 12、机器人 高智能、多自由度、多CPU 多用途:工业、军事、日常生活、医疗、公共服务(导游、加油工、清洗工、邮递员)家庭服务(打扫卫生、护理病人、宠物) 自主功能(自控制、自学习) 国内vs国外:核心技术差距不大,应用水平尚待提升--“生物芯片” 图2 液晶显示器件结构 等离子体显示技术(PDP) PDP是采用等离子技术,每个像素象一个小日光灯,单元内部充有惰性气体,在电离状态下发出紫外线,激发相应颜色的荧光材料像素发光。 PDP特点:自发光,图像鲜艳而明亮,可以做到超薄、大尺寸,屏幕尺寸可做到100英寸以上而厚度不超过100mm。 OLED—Organic Light-Emitting Display 显示技术 OLED:有机电致发光显示,被称为下一代平板显示技术,已经在数码相机等产品上应用,OLED显示器、电视等产品也陆续推出。 OLED特点:OLED器件的核心层厚度薄,主动发光,没有视角问题,极高的响应速度,可以实现流畅的视频重放。 目前不少国际大型企业都投入了OLED技术的研发,全球已有数条产品线开始运行。广东省今年重点支持“东莞宏威数码科技”研发我国第一条具有自主知识产权的OLED生产线。 15 、MEMS(微机电系统) MEMS是MicroElectroMechanical System的简写,即微机电系统,专指外形轮廓尺寸在毫米级以下,构成它的机械零件和半导体元器件尺寸在微米至纳米级,可对声、光、热、磁、压力、运动等自然信息进行感知、识别、控制和处理的微型机电装置。 通过将微型的电机、电路、传感器、执行器等装置和器件集成在半导体芯片上形成的微型机电系统,不仅能搜集、处理和发送信息或指令, 还能按照所获取的信息自主地或根据外部指令采取行动。 16、蓝紫色激光光盘技术 与使用红色激光的DV
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