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沉铜工序培训资料 制作：ME/何自立 日期：2009年4月 目 录 流程原理介绍 主要监控项目 生产设备介绍 常见问题处理 放 板 压力水洗 刷 磨 高压水洗 超音波浸洗 加压水洗 水 洗 烘 乾 收板 毛刺 去毛刺目的 去毛刺的作用：清洁板面,去除钻孔后孔口的毛刺、披锋，防止形成孔口镀瘤导致的孔小及后工段PTH的镀层与底层的结合力差而脱落，提高可靠性。 刷磨机之基本构造 去毛刺主要控制项目(宇宙线） 磨板速度:2.0-3.0m/min 水膜测试:≥10-15S 磨刷电流:2.0-3.0A 磨痕宽度:板厚≤0.4㎜,磨痕宽度8-10㎜ 板厚≥0.4㎜:磨痕宽度10-12㎜ 溢流水洗压力:板厚≤0.4㎜,15-20 psi 板厚≥0.4㎜,20-30 psi 高压水柱水洗:板厚≤0.4㎜,关闭 板厚≥0.4㎜,100 psi 放板间距:板厚≤0.4㎜:≥10cm 板厚≥0.4㎜:≥5cm 烘干温度:85±5℃ 磨刷打开后是否有水洗。 去钻污（Desmear）+沉铜（PTH）流程： Desmear：磨板→上板→膨松→双水洗→除胶渣→回收→双水洗→预中和→水洗→中和→双水洗 PTH：整孔→双水洗→微蚀→双水洗→酸浸→双水洗→预浸→活化→双水洗→加速→双水洗→沉铜→双水洗→下板→酸浸→板电→水洗→磨板→线路 膨胀 膨松孔内树脂、渗入树脂聚合后的交联处，降低树脂聚合物间的键合能，使其形成疏松的结构，以利于KMnO4咬蚀成微观粗糙的表面。 Desmear的作用原理 去除钻污，使孔壁形成微观粗糙面，增强 其与化学铜层的结合力，化学反应方程式如下： 主反应： C（树脂）+4MnO4-+4OH- →CO2 +4MnO42-+2H2O 副反应1： 2MnO4-+2OH- →2MnO42- +?O2 + H2O 副反应2： MnO42-+ H2O →MnO2+ 2OH- + ?O2 Desmear的作用原理 去钻污前后对比 Desmear后 膨胀前 预中和 用硫酸/双氧水溶液预先将残存在板面或孔壁处的大量二氧化锰和高锰酸盐中和除去 。仅留下少量死角待后继中和缸处理。 优点：节省成本（中和剂较贵），中和反应迅速 缺点：对铜面有一定的微蚀 中和 中和的作用：碱性KMnO4溶液会跟除油剂及活化剂反应破坏其有效成分，所以需要对KMnO4溶液进行还原中和处理： MnO4- +R（中和剂）+H+ → MnO42- +H2O 过于剧烈的还原会使MnO4-转为MnO2沉淀，造成小孔塞孔。 化学沉铜 PTH（Plating Through Hole）直译的意思是镀通孔，俗称化学沉铜，其目的是在成份为绝缘基材（包括树脂及玻璃纤维）的孔壁及表面上镀上铜层以实现双面板、多层板层与层之间导通以及可焊接元件的目的。 整孔-調整劑 微蚀 微蚀的作用：利用NaPS、H2SO4将底铜微蚀掉30-80uin的铜，除去板子铜面上的氧化物及其它杂质。使底铜粗糙、表面积增大，从而增强底铜与化学铜层结合力。 反应式：Cu + S2O82- + H2SO4 ? CuSO4 + 2HSO4- 微蚀前后 预浸、活化 预浸的作用： 1、防止板子带杂质污物进入昂贵的钯缸； 2、防止板面太多的水量带入钯槽而导致局部水解而聚沉。 Sn2+ + 2H2O Sn（OH)2+2H+ 3、進一步降低其孔面的Surface Tension 活化的作用：使孔壁吸附上胶体钯胶团SnPd7Cl16，经过水洗后使SnCl2发生水解反应，生成Sn（OH）Cl，这样连同钯核一起沉积到板面和孔壁上。 特别备注：氧气会破坏SnCl2形成沉淀，所以活化缸禁止打气，不允许过滤泵漏气。绝对禁止直接往活化缸中加水这将导致活化缸中钯胶团水解的后果，以维持亚锡与钯间的精巧平衡。 加速 活化处理后在基体表面上吸附的是以金属钯为核心的胶团,在钯核的周围包围着碱式锡酸盐化合物.在化学镀铜之前应除去一部分,以使钯核完全露出来,增强胶体钯的活性,称这一处理为速化处理。 化学沉铜的作用原理 化学沉铜的作用：Cu2+在HCHO、NaOH的存在下反应生成铜层，在底铜及含有钯的地方沉积出来，此处铜和钯是催化剂，为防止产生Cu(OH)2沉淀，需络合剂EDTA配合; CuSO4 + 2HCHO + 4NaOH ? Cu + Na2SO4 + 2HCOONa + 2H2O