MgB超导薄膜制备方法对比研究-Chin.Phys.Lett.PDFVIP

评述 345$ 超导薄膜制备方法对比研究! 高建龙! ! 周建中! ! 张! 莉6 （兰州理工大学理学院! 兰州! #%%7% ） 摘! 要! ! 文章结合345$ 超导薄膜在电子器件中的应用，简介了混合物理化学气相沉积法、脉冲激光沉积法、磁控 溅射法、分子束外延法和电子束蒸发法等345$ 超导薄膜制备方法和研究进展，并对主要的345$ 超导薄膜制备方法 进行了比较，提出了改进意见, 对345$ 超导薄膜的应用前景作了展望, 关键词! ! 二硼化镁，超导，薄膜，制备技术 ! #$%’(%)*+ (%,-. #$ /’0)’%)#$ %+1$)2,+ #/ 345$ (,6+#$-,%)$4 %1)$ /)78 89: ;/02=24! ! ?@:A ;/02?’24! ! ?@9B8 =/6 （!#$$% $ !’()( ，*+),#$- .)’/(01’23 $ 4(#)$%$53 ，*+),#$- #%%7% ，6#’)+ ） !0(%’%9 9 C0D/24 12E/FGH0(/2 I (’G 0))./10(/2 I 345$ E-)GH12F-1(/24 (’/2 I/.J /2 G.G1(H2/1 0))0H0(-E ， (’G I0KH/10(/2 (G1’2/L-GE 02F )H4HGEE I 345$ (’/2 I/.J E-1’ 0E ’MKH/F )’ME/10.1’GJ/10. N0)H FG)E/(/2 ， )-.EGF .0EGH FG)E/(/2 ，J042G(H2 E)-((GH/24 ，J.G1-.0H KG0J G)/(0OM 02F PKG0J PN0)H0(/2 0HG KH/GIGF, C’G J0/2 EM2(’GE/E JG(’FE 0HG 1J)0HGF 02F EJG E-44GE(/2 IH /J)HN/24 (’G L-0./(M I (’/2 I/.J /E E-44GE(GF, C’G 0))./10(/2 )HE)G1( I 345$ E-)GH12F-1(/24 (’/2 I/.J /E )HGEG2(GF, :+.;#-(9 9 345$ ，E-)GH12F-1(/N/(M ，(’/2 I/.J ，I0KH/10(/2 (G1’2/L-G 温原位生长薄膜技术，AGF0 X ，]0/( ] 与 ]’/J0D04G S! 引言 @ ，CE-^/J( X 两个研究小组先后在分子束外延系 统和溅射系统上率先实现了层状的超导绝缘超导约 ［S］ 瑟夫森结［# ， ］；3/^0(N/1 等人采用混合物理化学气 自从345 （4 W RX ）超导体发现以来 ，无论 $ 1 在理论领域还是应用领域都吸引了国内外众多研究 相沉积（@_[‘a ）方法制备的优质外延薄膜在一个 者的注意, 特别是由于345$ 具有一系列优点：它具 单晶区域内实现了由聚集离子束刻蚀而成的纳米桥 ［R ］ 有很高的临界电流密度 # $