基于poss的多孔结构材料的构建及介电性能研究-化学专业论文.docxVIP

万方数据 万方数据 西南科技大学硕士研究生学位论文第 西南科技大学硕士研究生学位论文 第 I 页 摘 要 笼型倍半硅氧烷（POSS）是一种具有纳米中空笼型结构的有机-无机杂化分子，介 电常数和介电损耗较低，同时还具备良好的尺寸稳定性、纳米增强效应以及热稳定性， 尤其是其纳米级别的孔洞尺寸以及良好的结构可塑性，使得 POSS 在制备有机-无机杂 化的多孔低介电材料领域中展现出明显的性能优势。本文采用不同的方法制备基于 POSS 的多孔结构材料，并对结构、性能和介电特性进行研究。 1、采用 Heck 反应，在 POSS 上引入苯并环丁烯（BCB）官能团，制备 BCB-POSS 衍生聚合物。1H NMR 分析表明该反应实现了 POSS 的苯并环丁烯官能化，取代率约 50%。 结构分析和性能测试结果表明 BCB-POSS 通过[2+4]环加成实现交联聚合；T5%高达 477℃，具有优异的热稳定性能；树脂薄膜表面光洁性较好，成膜性好，可以满足微电 子应用的基本要求。 2、采用物理共混的方式，将八乙烯基笼型倍半硅氧烷（OV-POSS）引入聚苯乙烯 （PS）基体，研究成膜方法对薄膜介电性能的影响。以溶液法制备薄膜，结构分析和 性能测试结果表明，物理共混的方法可以改善传统化学方法制备得到的 POSS 基薄膜的 力学性能。PS 基体中形成了自组装的 POSS 晶体，晶体的尺寸对材料的热性能、介电 常数和介电损耗具有影响。80℃下，POSS 掺入量为 6 wt%的材料体系制备得到的薄膜 介电常数可以从 2.77 降低至 2.29。POSS 的引入对基体聚合物链段运动产生的影响、 POSS 晶体与基体之间的界面效应导致了基体聚合物介电常数的下降。 3、合成嵌段聚合物 PEO-b-PS，通过物理共混的方法在 PEO-b-PS 溶液中引入八乙 烯基笼型倍半硅氧烷。通过调整基底、退火方式和退火时间可以控制 PEO-b-PS 嵌段聚 合物的微相分离。 关键词：笼型倍半硅氧烷；多孔结构；低介电材料 西南科技大学硕士研究生学位论文第 西南科技大学硕士研究生学位论文 第 II 页 ABSTRACT Polyhedral oligomeric silsesquioxane (POSS), a kind of containing nanometer hollow structure of organic-inorganic hybrid molecules, has a low dielectric constant and dielectric loss. In addition, POSS has the advantages of good dimensional stability, nanometer enhancement effect and thermal stability. Especially the structure of good plasticity with nanoscale hole contributes to the performance of POSS organic-inorganic hybrid. Introduce octavinyl-polyhedral oligomeric silsesquioxane (OV-POSS) into base material by physical blending and chemical crosslinking to abtian the material with porous structure. Research the relation of dielectric properties with the porous structure. Using Heck reaction to modify OV-POSS with benzocyclobutene to form BCB-POSS. BCB-POSS derived could be obtained by crosslinking of BCB-POSS. 1H NMR shows that the BCB-POSS is synthesized successfully, and the substituted rate of POSS is about 50%. Structural analysis and performance test results show that BCB-POSS can achieve a crosslinked polymer by [2+4] cycloaddition; T5% reach up to 477℃, it sh