Insb单元及线列器件IrV特性失效分析-激光与红外.PDFVIP

第４８卷　 第２期　 　　　　　　　　　　　　　　激 光 与 红 外 Ｖｏｌ．４８，Ｎｏ．２ 　 ２０１８年２月　　　 　 　　　　　　　　　　ＬＡＳＥＲ　＆　ＩＮＦＲＡＲＥＤ Ｆｅｂｒｕａｒｙ，２０１８ 　　文章编号：１００１５０７８（２０１８）０２０２０５０４ ·红外材料与器件 · ＩｎＳｂ单元及线列器件Ｉ－Ｖ特性失效分析 史梦然，史梦思 （华北光电技术研究所，北京 １０００１５） 摘　要：ＩｎＳｂ单元及线列器件广泛应用于中波红外探测器的研制。ＩｎＳｂ器件Ｉ－Ｖ中测筛选 既可以有效地检测出适于装配使用的合格芯片，还可对前道工艺存在的问题实现有效监控和 反馈。本文采用半导体参数分析仪对ＩｎＳｂ单元及线列器件进行Ｉ－Ｖ测试，对日常测试中出 现的Ｉ－Ｖ失效进行归纳，并对典型失效情况进行了失效原因分析，发现影响探测器芯片直流 特性的主要因素是表面漏电。 关键词：ＩｎＳｂ；光电二极管；电流－电压特性；失效分析 中图分类号：ＴＧ１５６２２　　文献标识码：Ａ　　ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１５０７８．２０１８．０２．０１３ ＦａｉｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓｏｎＩ－ＶｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＩｎＳｂｕｎｉｔ ａｎｄｌｉｎｅａｒｄｅｖｉｃｅｓ ＳＨＩＭｅｎｇｒａｎ，ＳＨＩＭｅｎｇｓｉ （ＮｏｒｔｈＣｈｉｎａＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏＯｐｔｉｃｓ，Ｂｅｉｊｉｎｇ１０００１５，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＴｈｅＩｎＳｂｕｎｉｔａｎｄｌｉｎｅａｒｄｅｖｉｃｅｓａｒｅｗｉｄｅｌｙａｐｐｌｉｅｄｉｎｍｉｄｉｎｆｒａｒｅｄｄｅｔｅｃｔｏｒＴｈｅＩ－ＶｔｅｓｔｉｎｇｏｆＩｎＳｂｄｅ ｖｉｃｅｓｃａｎｂｅｕｓｅｄｔｏｃｈｏｏｓｅｔｈｅｑｕａｌｉｆｉｅｄｃｈｉｐｗｈｉｃｈｉｓｓｕｉｔａｂｌｅｆｏｒｔｈｅａｓｓｅｍｂｌｙ，ａｎｄｃａｎｍｏｎｉｔｏｒｔｈｅｐｒｏｂｌｅｍｓｉｎｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇＴｈｅｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｐａｒａｍｅｔｅｒａｎａｌｙｚｅｒｗａｓｕｓｅｄｔｏｔｅｓｔｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｖｏｌｔａｇｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ ｏｆｔｈｅＩｎＳｂｕｎｉｔａｎｄｌｉｎｅａｒｄｅｖｉｃｅｓＴｈｅｎｔｈｅｆａｉｌｕｒｅｒｅａｓｏｎｓｏｆＩ－ＶｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓａｒｅｓｕｍｍａｒｉｚｅｄａｎｄａｎａｌｙｚｅｄＩｔｉｓ ｆｏｕｎｄｔｈａｔｔｈｅｍａｉｎｅｆｆｅｃｔｏｎＤＣｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｏｆｄｅｔｅｃｔｏｒｃｈｉｐｉｓｓｕｒｆａｃｅｌｅａｋａｇｅ Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｉｎｄｉｕｍａｎｔｉｍｏｎｉｄｅ；ｐｈｏｔｏｄｉｏｄｅ；ｃｕｒｒｅｎｔｖｏｌｔａｇｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ；ｆａｉｌｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓ １　引　言 光电参数往往会偏离理想设计参数。为此，我们必 锑化铟（ＩｎＳｂ）是一种闪锌矿结构的ＩＩＩ－Ｖ族 须对实际工艺制造出的器件性能进行检测和 化合物半导体材料，在７７Ｋ条件下，ＩｎＳｂ的禁带宽 跟踪［１－２］。 度为０２２７ｅＶ，这种材料能够吸收易于透过大气的 ２　ＩｎＳｂ光电二极管 ３～５ ｍ中波红外光，因此广泛应用于中波红外探 ＩｎＳｂ红外光电器件是一种典型的半导体光电 μ 测器的研制。 二极管器件。在无光照时，其Ｉ－Ｖ特性与一般的二 ＩｎＳｂ单元或线列光伏红外器件是一个光电二 极管相同。有光照时，Ｉ－Ｖ特性曲线发生位移，如 极管或多个并联的光电二极管。因此，其相应的