MEMS动平板的切向静电阻力.PDF

第 28 卷第 6 期 摩 擦 学 学 报 Vol. 28　No. 6 2008 年 11月 Tribo logy Nov. 2008 M EM S动平板的切向静电阻力 沈雪瑾 , 侯利程 (上海大学 机械 自动化系 , 上海 　200072) 摘要 : 由于微机械的表面积与体积之比远大于宏机械 ,所以微机械中的表面阻力难以忽略 ,为了改善 M EM S器件的性 能和可靠性 ,必须对其影响进行研究. 基于能量守衡法 ,本文建立了光滑平板和正方形 、四棱锥两种微凸体粗糙表面平 板的切向静电阻力模型 ,讨论了微小尺度 、表面形貌 、外加电压以及因流片制造工艺而产生的微凸体 、凹坑或孔对两个 相对运动的带电平板间的切向静电阻力的影响. 分析表明:当平板宽度与两平板之间的距离之比、表面形貌因数和外 加电压增大时 ,切向静电阻力也将随之增加 ;表面形貌因数则与微凸体在平板的总投影面积与平板面积之比成正比, 随相对表面粗糙度增加而非线性增加. 关键词 : M EM S; 微摩擦 ; 静电阻力 ; 表面粗糙度 中图分类号 : TH 123; O44 1 文献标志码 : A 文章编号 : (2008) 　　在过去二十年里 ,基于硅材料制作微尺度机械 擦和微磨损试验. 试验表明 ,各种表面钝化处理 、疏 ( ) 结构的微机电系统 M EM S 得到了迅速发展 ,它是 水性涂层淀积的表面工程和表面化学改性以及低表 ( ) 在集成电路 IC 加工工艺基础上发展出的体硅 、面 面能 自组装膜层润滑都是提高 M EM S制造和摩擦 硅微制作工艺 ,可用于制作具有实现机械运动功能 学性能的有效方法. 但是 ,文中没有涉及到静电切向 的微尺度系统. M EM S器件因其微小的几何 、操作尺 力对 M EM S器件的影响. [ 2 ] 度 , 以及大的表面积与体积之比,使得其动性能和可 Trimm er和 Gab riel 设计了硅静 电马达 ,利用 靠性明显受到与结构尺度低次方幂相关的力的影 硅片 、绝缘体 、导体 、各向异性刻蚀和细线光刻技术 , ( ) 响 ,如表面粘附力 、表面力和摩擦力. 使得在中等电压 ≈ 100 V 、有着精准厚度的薄膜 在微观领域的各种表面力中 ,静电力是一种比 绝缘体下产生大静电场成为可能. 当平板电容的两 μ 较长程的作用力. 静电力在间距小于 0. 1 m 时最 块极板之间有些许相对位移时 ,平行于极板的静电 μ 为重要 ,而在 10 m 间距时仍有一定的影响 ,所 以 力即可用于驱动直线和旋转静电马达的转子. 存在电势差的两个电极板间会产生静电力 ,而微机 Kom vopou lo s和 Yan[ 3 ] 介绍了静 电力可能由于 械中出现的问题很多都与静电力有关. 对于微机械