如何生长具有特定空间几何结构的单层石墨烯.pdfVIP

100倍的强度[8】。更重要的是，碳纳米管的电子结构可以根据不同的卷曲方向和 管径的尺寸发生变化，从而具有金属或是半导体的性质，这是其作为纳米光电器 件应用的基础【9】。目前，基于碳纳米管的FET晶体管及更多光电器件的原型已 经制备出来【9]。 图1．I：悬空石墨烯的TEM图像 是目前已知最薄的材料，但由于其层内由C．C键相连，其强度可以比拟金刚石 [11】。石墨烯的二维蜂窝状晶格结构使其电子结构在费米面附近具有无带隙的线 性色散关系，导致了一系列奇特的物理性质，如载流子的准相对论(Dirac)费 米子行为、反常霍尔效应及半整数的量子电导等性质[12]，使其迅速在全球掀起 了一股研究热潮。然而，从器件角度看更为重要的是，石墨烯带的能隙可以随着 带宽的减小逐渐打开并成比例增大，即可以从导体过渡为带隙可调的半导体【1】， 实验证实当其宽度小于20nm时，其带隙宽度可以超过200meV[1】。同时，实验 表明，由于石墨烯超薄的特性，其构成的晶体管具有超快(100GHz)的丌关速 度，因而在高频电路中有良好的应用前景【1]。目前石墨烯的制备方法已经比较 成熟，最有效的方法是在金属衬底上沉积小的有机分子，如乙烯等，然后对其加