无机材料中的晶界与相界.pptVIP

5.3无机材料中的晶界与相界 相界与晶界是无机材料各种聚集状态中特殊的部分，队伍及材料的性质有着强烈的影响，对无机材料的制备过程也起着相当大的作用，有时是决定性的作用。 5.3晶界结构与分类 当多晶体中晶粒的平均尺寸为1纳米时，晶界占多晶体总体积的1/2。 显然在细晶材料中，晶界对材料的机、电、热、光等性质都有不可忽视的作用 5.3.1晶界结构与分类 晶界上两个晶粒的质点排列取向有一定的差异，两者都力图使晶界上的质点排列符合于自已的取向。当达到平衡时，晶界上的原子就形成某种过渡的排列 。 5.3.2相界结构与分类 具有不同化学成分和晶体结构的俩相之间的分界面称为相界。 根据界面俩边原子排列的连贯性，相界可以分为： 共格晶界（连贯晶界） 半共格晶界（半连贯晶界） 非共格晶界（非连贯晶界） 5.3.4无机材料相界面的润湿与黏附 度 5.3.5吸附与表面改性 固体表面如未受到特别的处理，其表面总是被吸附膜所覆盖。新鲜表面具有较强的表面力，能迅速地从空气中吸附气体或其它物质来满足它的降低表面能的要求 吸附是一种物质的原子或分子附着在另一物质表面的现象。由于吸附膜的形成改变了表面原来的结构和性质，从而达到表面改性的目的 （1）θ＜90o时，,使cosθn/cosθ=n1, 则θn ＜ θ，表观接触角小于理想表面的接触角，更易润湿。 当真实接触角θ小于90°时，粗糙度愈大，表观接触角愈小，就容易润湿。 2）θ＞90o时，,使cosθn/cosθ=n1, 则θn ＞θ，表观接触角大于理想表面的接触角，不易润湿。 即：当θ大于90°时，则粗糙度愈大，表观接触角也大，不利于润湿。 水泥与混凝土之间，因再者同属硅酸盐材料 θ＜90o 表面愈粗糙， θ越小，润湿性愈好，结合越强。 陶瓷是无机材料，银是金属材料，不易润湿，即θ＞90o。粗糙度愈大，表观接触角也大，即θ也越大，不利润湿。 故，陶瓷元件表面被银，必须先将瓷件表面磨平并抛光，才能提高瓷件与银层之间的润湿性能。 （2）吸附膜的影响 前面所提及的γSV都是指固体置于蒸汽或真空中的表面张力，而真实固体表面都是有吸附膜的，以降低其表面能。吸附膜的存在使接触角增大，起阻碍液体的铺展作用。若γSV降低，对润湿不利。在陶瓷生胚上釉前和金属与陶瓷封接等工艺中，都要使胚体或工件保持清洁，其目的是去除吸附膜，提高γSV以改善润湿性能 * 10级粉体①班 朱国涛 1003011029 有关晶界概念的几种说法 凡结构相同而取向不同的晶体相互接触，其接触界面称为晶界。 如果相邻晶粒不仅位向不同，而且结构、组成也不相同，即它们代表不同的两个相，则其接触界面称为相界面或界面 。 不论结构是否相同而取向不同的晶体相互接触，其接触界面称为晶界。 晶界结构示意图 在多晶体中，晶界上俩个晶粒的质点排列取向有一定的差异。由于受到相邻晶粒势场的作用，俩者都力图使晶界上的质点排列符合自己的取向。当到达平衡时，晶界上的原子就形成某种过度排列。晶界一般只有几个原子的厚度。晶界区域的原子由于受到俩个不同晶粒上原子共同作用，而处于非平衡位置，因而具有较高的能量。 晶界的分类 按两个晶粒之间夹角的大小来分： 小角度晶界(约2°～3°) 大角度晶界 小角度晶界是相邻两个晶粒的原子排列错合的角度很小，约2°～3°，两个晶粒间晶界由完全配合部分与失配部分组成，界面处质点排列着一系列刃位错。当一颗晶粒绕垂直界面的轴旋转微小角度，则形成由螺旋位错构成的小角度扭转晶界。 大角度晶界在多晶体中占多数，这时晶界上质点的排列己接近无序状态. 晶粒的特性 晶界结构疏松，在多晶体中晶界是原子快速扩散的通道，并容易引起杂质原子偏聚，同时也使晶界处熔点低于晶粒 。 晶界上有许多空位、位错和键变形等缺陷使之处于应力畸变状态，故能阶较高，使晶界成为固态相变时优先成核区域。 利用晶界的一系列特性，通过控制晶界的组成、结构和相态等来制造新材料。 共格晶界:界面两侧的晶体具有非常相似的结构和类似的取向，越过界面原子面是连续的 半共格晶界:晶面间距比较小的一个相发生应变，在界面位错线附近发生局部晶格畸变。 非共格晶界:界面两侧结构相差很大且与相邻晶体间有畸变的原子排列。 连贯晶界 半连贯晶界 非连贯晶界 从理论上来讲，相界能包括俩部分，即弹性畸变能和化学交互作用能。弹性畸变能的大小取决于适配度的大小；而化学交互作用能