亚65纳米SRAM的稳定性分析与设计.pdfVIP

亚65纳米SRAM的稳定性研究与设计 第一章引言 7管、8管和9管之分，而6管是目前业界使用最为广泛而成熟的单元结构。本论文 主要研究6管存储单元结构的SRAM。 凰HB 图卜26管存储单元 业界广泛使用的SRAM存储单元如图卜2所示，两个N管PD称为下拉管或者驱动 管；两个P管PU为上拉管或负载管；两个N管TG称为传输管。 ， 1．2稳定性概念 SRAM的稳定性包括读稳定性和写稳定性。 读稳定性指读操作时存储单元抗干扰的能力。读操作：如图卜2所示，首先位线 BL和BLB被充电到高电平，然后字线WL变为高电平有效。假设反相器两个节点NVO 和NVI电压分别为‘O’和‘1’，NVO节点的低电压在字线电平变高后开始对BL放电。 这个放电过程也会导致NVO节点电压升高，在字线关闭之前，如果NVO电压高过另外 的反相器的翻转电压点(trippoint)时，两个反相器就会翻转，NVO节点电压变为‘1’， NVI节点电压变为‘0’，这样原来存储在单元中的内容就遭到破坏。所以要想提高读 稳定性，就是要保证在字线关闭之前，NVO节点