模拟电子技术基础(高等教育出版社 第四版) 1.3晶体三极管.ppt

1.3 晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构和符号 1.3.2 晶体管的放大原理 电流分配： IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 1.3.3 晶体管的共射输入特性和输出特性 1. 输入特性 2.输出特性 晶体管的三个工作区域 截止区、放大区、饱和区 晶体管的三个工作区域 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管特性的影响 讨论一 讨论二 1.3.1 晶体管的结构和符号 1.3.2 晶体管的放大原理 1.3.3 晶体管的共射输入、输出特性 1.3.5 温度对晶体管特性的影响 1.3.4 晶体管的主要参数 又称双极型晶体管 (BJT) 、晶体管、三极管 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 晶体管符号 扩散运动形成发射极电流IE，复合运动形成基极电流IB，漂移运动形成集电极电流IC。 少数载流子的漂移 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 基区空穴的扩散 穿透电流 集电结反向电流 直流电流放大系数 交流电流放大系数 ICEO:基极开路时,在VCC作用下的集电极与发射极之间形成的电流。 ICBO:发射极开路时,集电结的反向饱和电流。 在管压降UCE一定时,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系曲线。 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代 UCE 大于1V的所有输入特性曲线。 （1）UCE=0，集电极与发射极短路，集电结与发射结并联，输入特性类似PN结伏安特性，呈指数关系。 类似PN结伏安特性,呈指数关系 （2）UCE增大，集电结反偏，发射区注入的电子更多地被集电区收集，因此对于相同的uBE，流向基极的电流iB比原来UCE=0时减小了，特性曲线右移。 UCE增大,特性曲线右移 （3）UCE1V后，集电结的电场已足够强，可将绝大部分电子收集到集电区，再增大UCE， iB 不再明显减小，特性曲线基本重合。 UCE增大到一定值,曲线右移不明显,基本重合 对应一个IB就有一条曲线，输出特性是一族曲线。 uCE较小时iC随uCE变化很大, uCE增大进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线。 饱和区 放大区 截止区 在基极电流IB为一常量时，集电极电流iC与管压降uCE之间的关系曲线。 在理想情况下,当IB等差变化时,输出特性是一族与横轴平行的等距直线。 IB=0以下的区域称为截止区。IB=0，IC≤ICEO。通常ICEO很小，可以认为晶体管的集电极和发射极之间呈高阻态，iC≈0，晶体管截止，相当于开关断开。 判断条件： 截止区 发射结反偏,集电结反偏 2. 放大区 发射结正偏,集电结反偏 晶体管的三个工作区域 集电极电流iC几乎仅仅取决于由于基极电流IB，而与uCE无关。由于β=ΔiC/ΔiB，曲线的疏密反映了β的大小。表明集电极电流iC受基极电流IB的控制。 判断条件： 晶体管的三个工作区域 3. 饱和区 发射结正偏,集电结正偏 集电极电流iC不仅取决于与基极电流IB有关，而且明显随uCE增大而增大，iC βIB。晶体管饱和时的管压降用UCES表示，通常小功率硅管UCES≈0.3 V; 锗管UCES≈ 0.1 V。所以晶体管饱和时，集电极和发射极之间呈低阻态，相当于开关闭合。判断条件： 晶体管工作在放大状态时，输出回路电流 iC几乎仅仅决定于输入回路电流 iB；即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ＜ uBE ＜βiB Uon 饱和 uBE βiB Uon 放大 VCC ICEO ≤ Uon 截止 uCE iC uBE 状态 注意 (1) 晶体管三个工作区 截止区：发射结反偏，集电结反偏； 放大区：发射结正偏，集电结反偏； 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 (2) 放大状态时三个极电位关系 NPN：uC uB uE 且uBE Uon PNP：uC uB uE 且uBE Uon (3) 小功率管处于临界状态（临界饱和或临界放大） uCE = uBE，即uCB=0 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全