《工程学论》半导体基本特性02.pptVIP

重 点 半导体、N型半导体、P型半导体、本征半导体、非本征半导体 载流子、电子、空穴、平衡载流子、非平衡载流子、过剩载流子 能带、导带、价带、禁带 掺杂、施主、受主 输运、漂移、扩散、产生、复合 作 业 载流子的输运有哪些模式，对这些输运模式进行简单的描述 如何将一块本征半导体变成N型半导体，设法使它变成P型半导体。 1． PN结的形成 在P型半导体和N型半导体的交界面，由于载流子浓度的差别，载流子会从浓度高的区域向浓度低的区域产生扩散运动。即P型区的多子(空穴)向N型区扩散，N型区的多子(自由电子)向P型区扩散，如图1-6（a）所示。扩散的结果是在交界面附近，P型区一侧由于失去空穴而留下了不能移动的杂质负离子，N型区一侧由于失去电子而留下了不能移动的杂质正离子。扩散到对方的载流子成为异型半导体中的少子而与该区的多子复合，这样， 在交界面两侧就出现了由不能移动的杂质正负离子构成的空间电荷区，也就是PN结，如图1-6（b）所示。由于空间电荷区中的载流子已经复合掉或者说消耗尽了，因此空间电荷区又可称为耗尽层。随着多子扩散运动的进行，空间电荷区交界面两侧的离子电荷量增多，空间电荷区加宽，而空间电荷区以外的P型区和N型区仍处于热平衡状态且保持电中性。 图 1-6 PN结的形成 (a) 载流子的扩散运动； (b) 空间电荷区； (c