2018年半导体发光二极管标准.docVIP

半导体发光二极管标准 　　半导体发光二极管 　　1 范围 　　本标准规定了冰箱事业部半导体发光二极管的设计选用要求、试验方法、检验规则和包装、贮存。 本标准适用于冰箱事业部控制器、照明指示灯等所选用的半导体发光二极管。 2 规范性引用文件 　　下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件，其随后所有的修 　　改单（不包括勘误的内容）或修改版均不适用于本标准，然而，鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的最新版本。凡是不注日期的引用文件，其最新版本适用于本标准。 　　GB/T 191 包装储运图示标志 　　GB/T 2423.3-1993 电工电子产品基本环境试验规程 试验Ca:恒定湿热试验方法(idt IEC 68-2-3:1984) 　　GB/T 4937-1995 半导体分立器件机械和气候试验方法(idt IEC 749:1995) GB/T 4938-1985 半导体分立器件接收和可靠性 　　GB/T 17626.2-1998 电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验(idt IEC 61000-4-2:1995) QMB-J10.010 关于规范RoHS 标识的操作指引 QMB-J10.011 逐批检查计数抽样程序及抽样表 3 半导体发光二极管分类 3.1 按颜色分类 　　a) 红色发光二极管（λD ：620-660nm ） b) 橙色发光二极管（λD ：600-620nm ） c) 黄色发光二极管（λD ：580-600nm ） d) 绿色发光二极管（λD ：500-577nm ） e) 兰色发光二极管（λD ：430-480nm ） f) 紫色发光二极管（λP ：380-410nm ） g) 白色发光二极管（T C ：3000-25000K ） 3.2 按芯片材料分类 　　a) InGaAlP/GaAs b) GaN/ Al2O 3或SiC 衬底 c) InGaN/ Al2O 3或SiC 衬底 4 要求 　　4.1 静电防护工艺要求 　　因产品易受静电破坏，生产及运输过程中应做好静电防护工作, ImGaAlP/GaAs系列及GaN 基/SiC衬 　　1 　　　　底系列静电等级要求控制在500V 以下， GaN基/蓝宝石衬底系列静电等级要求控制在100V 以下。 4.2 封装形式及外观要求 4.2.1 封装形式 　　采用环氧树脂全包封的封装形式。 　　4.2.2 外观要求 　　目测环氧表面无明显发花、划伤，出光面无明显气泡、黑点，无多缺料，无明显偏支架，外引线平整， 　　无明显锈蚀、变色及镀层脱落现象。 4.3 极限值（绝对最大额定值） 　　极限值（绝对最大额定值）见表1。 　　表1 极限值 　　4.4 光电特性 　　4.4.1 InGaAlP 系列红色发光二极管光电参数 　　InGaAlP 系列红色发光二极管光电参数应符合表2的规定。 　　amb 2 　　4.4.2 InGaAlP 系列黄色发光二极管光电参数 　　InGaAlP 系列黄色发光二极管光电参数应符合表３的规定。 　　表３ InGaAlP系列黄色发光二极管光电参数表 T amb =（25±5）℃ 　　3 　　　　4.4.3 InGaAlP 系列橙色发光二极管光电参数 　　InGaAlP 系列橙色发光二极管光电参数应符合表４的规定。 　　amb 4 　　InGaAlP 系列绿色发光二极管光电参数应符合表５的规定。 　　amb 5 　　　　4.4.5 GaN 基系列绿色发光二极管光电参数 　　GaN 基系列绿色发光二极管光电参数应符合表6的规定。 　　表6 GaN系列绿色发光二极管光电参数表 Tamb =（25±5）℃ 　　6 　　GaN 基系列蓝色发光二极管光电参数应符合表7的规定。 　　表7 GaN系列蓝色发光二极管光电参数表 T amb =（25±5）℃ 　　7 　　　　4.4.7 GaN 基系列白色发光二极管光电参数 　　GaN 基系列白色发光二极管光电参数应符合表7的规定。 　　表8 GaN系列白色发光二极管光电参数表 T amb =（25±5）℃ 　　8 　　4.4.8 GaN 基系列紫色发光二极管光电参数 　　GaN 基系列紫色发光二极管光电参数应符合表8的规定。 　　amb 4.4.9 HFT 系列多色发光二极管光电参数 　　9 　　　　HFT 系列多色发光二极管光电参数应符合表9的规定。 　　amb 　　4.5 型式检验要求 4.5.1 引出端强度 　　通过5.4试验后，引出端无断裂、