忆阻器与塑料spice模型非线性掺杂漂移.docVIP

忆阻器与SPICE模型非线性掺杂漂移 摘要：2008年，忆阻器原型的数学模型在惠普实验室中被制造出来，同时也被描述记录在文件中。结果表明，迄今公布的边界条件的建模的方法不需要符合实际电路元件的行为需求。被描述的忆阻器的SPICE模型因此被构建成一个开放的模式，使非线性边界条件的其他修改能够进行。它的功能在计算机模拟仿真中将被阐述说明。 关键词：忆阻器，漂移，窗口功能， SPICE 。 1、简介 2008年5月1日，Williams博士领导的惠普实验室的研究小组发表了一份关于忆阻器的制作的报告[1]，也就是所谓的第四个基础的被动（无源）元件（前三个是电阻，电容，电感）。蔡教授于1971年在他的著名的论文[2]中已经预测了它的存在。这种电路元件的未来似乎是不可限量的。惠普实验室正在进行深入的研究，主要侧重于在超高密度的记忆细胞的忆阻器的革命性的应用（RRAM，电阻式随机存取存储器），当这个元件作为一个交叉开关[3]。同样的，在模拟的情况下，忆阻器作为突触运用在神经计算构架中也是有希望的，因为这种技术似乎足够紧密去模拟在人类大脑中的这个过程[4]。 自从公布发表了具有突破意义的论文[1]的10个月以来,很多篇分析被动电路元件的忆阻器的基本属性的论文在惠普实验室产生了[5]、[6]。采取这种分析的输入数据，即关于忆阻器的物理模型信息，尤其是来自于原始的论文[1]中的信息和数据。由于忆阻器