光电技术第2讲5181.pptVIP

光电技术第二讲 物质对光吸收的一般规律 用透射法测定光通量的衰减时,得到以下结论:光能量变化与入射的光通量及路程的乘积成正比. 称为吸收系数. 利用边界条件解上面的微分方程,得到 当光在物质中传播时,透过的能量衰减到原能量的 时所通过的路程的倒数等于物质的吸收系数. 半导体对光吸收 包括：本征吸收、杂质吸收、激子吸收、自由载 流子吸收和晶格吸收 本征吸收 不考虑热激发和杂质的作用时，半导体中的电子基本上处于价带中，导带中的电子数很少。当光入射到半导体表面时，原子外层价电子吸收足够的光子能量，越过禁带，进入导带，成为可以自由运动的自由电子，同时在价带中留一个自由空穴，即产生电子-空穴对。 半导体价带电子吸收光子能量迁入导带，产生电子-空穴对的现象称为本征吸收。 本征吸收产生的条件是光子能量必须大于半导体的禁带宽度，这样才能使价带上的电子吸收足够能量跃入导带低能级之上， 发生本征吸收的光波长波限为： 只有波长小于长波限的入射辐射才能使器件产生本征吸收，改变本征半导体的导电特性。 杂质吸收 N型半导体中未电离的杂质原子（施主原子）吸收光子能量，若光子能量大于施主电离能，杂质原子的外层电子将从杂质能级（施主能级）跃入导带，成为自由电子。 P型半导体中价带上的电子吸收大于受主电离能的光子能量后，价电子跃入受主能级，价带上留下空穴。相当于受主能级上