光通信：第06章光检测器与光接收机.pptVIP

第六章 光电检测器与光接收机 6.1 光电检测器 6.2 光电检测器的特性指标 6.3 光 接 收 机 6.4 光接收机的噪声 6.5 光接收机的灵敏度 6.1 光电检测器 6.1.1 PIN光电二极管 由于受激辐射仅仅发生在PN结附近，远离PN结的地方没有电场存在，因此就决定了PN光电二极管(PN Photodiode，PNPD)或PN光电检测器的光电变换效率非常低下及响应速度很慢。 1. PIN光电二极管的结构 PIN光电二极管(PINPD)的结构如图6.1所示。 2. PIN光电二极管的工作原理 当光照射到PIN光电二极管的光敏面上时，会在整个耗尽区（高场区）及耗尽区附近产生受激辐射现象，从而产生电子空穴对。 6.1.2 雪崩光电二极管 雪崩光电二极管应用光生载流子在其耗尽区(高场区)内的碰撞电离效应而获得光生电流的雪崩倍增。 1. 雪崩光电二极管的结构 常用的APD结构包括拉通型APD和保护环型APD，如图6.2所示。由于要实现电流放大作用需要很高的电场，因此只能在图中所示的高场区发生雪崩倍增效应。 2. 雪崩倍增原理 APD的雪崩倍增原理为：当入射光照射在APD的光敏面上时，由于受激吸收原理会产生电子空穴对(这里我们称之为一次电子空穴对)。 3. APD的工作原理 当光照射到APD的光敏面上时，由于受激吸收而在器件内产生出一次