多晶硅工艺流程Microsoft Word 文档.docVIP

PAGE PAGE 18 多晶硅工艺原理 一、主要工序目录 1、主工艺 （1）液氯贮存及汽化工序 （2）合成工序 这一工序包括氯化氢合成工序和三氯氢硅合成工序 （3）氯硅烷提纯工序 这一工序包括粗提纯、精提纯、废体净化和蒸馏釜残液处理工序 （4）多晶硅工序 这一工序包括多晶硅制取工序和四氯化硅氢化工序 （5）氢气制备及净化工序 （6）工艺废料处理工序 （7）成品整理工序（包括实验室检验分析） 2、公用工程 (1) 空分制氮站； (2) 空压站； (3) 冷冻站； (4) 循环水站； (5) 脱盐水站； (6) 综合泵站； (7) 锅炉房； (8) 供热站； (9) 高纯水系统； (10) 污水处理站； (11) 10KV变电站； (12) 总变； (13) 煤输送系统； (14) 石灰石粉输送系统； (15) 渣（锅炉）贮运系统； (16) 灰贮运系统。 二、主工艺介绍 本装置的设计能力为年产高纯（电子级）多晶硅1500吨， 同时副产物：二级三氯氢硅，四氯化硅。 其主要的生产工艺，是通过工业硅与气态氯化氢的反应，将其转化为由三氯氢硅、四氯化硅、二氯氢硅、聚氯硅烷、金属杂质等组成的混合蒸汽并将其冷凝，用精馏的方法从冷凝液中分离出高纯度的三氯氢硅，再将汽化的三氯氢硅，与氢气按一定比例混合引入多晶硅还原炉。在置于还原炉内的棒状硅芯两端加以电压，产生高温。在高温硅芯表面，三氯氢硅被氢气还原成元素硅，并沉积在硅芯表面，逐渐生成所需规格的多晶硅棒。 低沸物 H2、HCl 粗 低沸物 H2、HCl 粗SiHCL3 冷凝液 氢气 氯气 氯化氢合成 三氯氢硅合成 加压冷凝分离 合成精馏 精 馏 还 原 干法回收 干法精馏 综合回收 HCl 硅粉 低沸物 高低沸物 纯SiHCL3 多晶硅 纯SiHCL3 SiCL4 冷凝液 H2 HCL 尾气 氢 化 氢化粗馏 综合回收 SiCL4 粗SiHCL3 粗SiHCL3 氢气 SiCL4 1、液氯贮存及汽化工序 外购的液氯钢瓶运送入本工序厂房内实瓶区存放，使用后的液氯钢瓶吊运至空瓶区存放并定期运出。 从钢瓶放出的液氯，引入液氯汽化器内被热水加热而汽化。汽化生成的氯气经过氯气缓冲罐，先进行干燥，然后送往氯化氢合成工序。 用于液氯汽化的加热水来自热水槽。通入低压蒸汽（部分来自还原炉的热能回收）直接加热槽内的水。出槽的热水用循环泵送入液氯汽化器加热汽化液氯。出液氯汽化器的水返回热水槽。 液氯汽化器为一开一备。随着汽化器工作时间的增加，液氯中的NCl3浓度会升高，当达到一定浓度时，会导致爆炸。因此须定期分析汽化器中NCl3的浓度，当NCl3浓度达到40g/l时，必须切换汽化器，将汽化器中NCl3浓度较高的残液放入排污罐，用碱液将NCl3和液氯处理掉。 从液氯钢瓶或汽化系统设备、管线泄漏出来的氯气，必需得到及时的处理。为此，在沿厂房内墙设置的环形地沟内，沟底上方架设管壁上开孔的环形风管，将地面附近含氯的空气吸入管内，并送入至废气处理塔处理。必要时，可用软管连接到从风管伸出地面的活接头上，将软管引至厂房的各部位，进行局部排风。设置于废气处理塔后的事故风机，从塔顶抽送气体，造成废气收集、处理系统气体输送的动力。 当正在放液的液氯钢瓶发生泄漏、或某台汽化器需要作排液操作之前、或系统停车之后，可通过从钢瓶排气接嘴、汽化器和氯气缓冲罐出气管引至废气处理塔进气管的支管，将钢瓶或设备内的氯气抽出，送入废气处理塔处理。 汽化系统安全阀泄放的氯气直接送入废气处理塔。 入废气处理塔的含氯空气，在填料层与自上而下的碱液逆流接触，氯气与碱液中的NaOH反应生成NaClO、NaCl和H2O而被吸收。因反应放热，塔内液体和气体的温度均有升高。用事故风机抽出塔顶经处理达标的气体放空；出塔底的液体靠位差流入碱液循环槽，再用碱液循环泵抽出，经碱液循环冷却器用循环冷却水冷却后，送入废气处理塔顶用作吸收剂。当循环碱液中NaOH浓度降至2~3%（w）时，停止使用工作槽中的碱液，切换至碱液循环备用泵，将备用槽中贮存的浓度为15%（w）的新鲜NaOH溶液送入废气处理塔吸收氯气。在备用泵、备用槽系统作吸收操作期间，原工作泵、工作槽系统需完成以下工作：用泵将槽内含10%NaClO的液体排至次氯酸钠溶液贮槽贮存，然后将配制好的NaOH溶液送入槽内贮存，以备随后用于氯气的吸收。 次氯酸钠溶液贮槽内贮存的10%NaClO溶液，用泵装车，作为商品外售。必要时，亦可将其送至工艺废料处理工序处理。 15%NaOH溶液的配制，是将从35%NaOH贮槽送来的浓碱液放入15%碱液配制槽内。向槽中通入一次水，将碱液稀释至所需浓度。 事故风机、废气处理塔、碱液循环系统保持连续运转。 2、合成工序 1）氯化氢合成工序 在氯化氢合成炉内，通过氢