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4章 场效应管放大电路 场效应管 2.工作原理 ①栅源电压VGS对iD的控制作用 ②漏源电压VDS对iD的影响 JFET工作原理（动画2-9) (3)伏安特性曲线 可变电阻区 夹断区 ②转移特性曲线 结型场效应管的特性小结 金属-氧化物-半导体场效应管 N沟道增强型场效应管 N沟道增强型场效应管的工作原理 1 . 栅源电压VGS的控制作用 栅源电压VGS对漏极电流ID的控制作用 2 .漏源电压VDS对沟道导电能力的影响 当VDS为0或较小时，VGD＞VT，此时VDS 基本均匀降落在沟道中，沟道呈斜线分布。 增强型MOSFET的工作原理 MOSFET的特性曲线 2.转移特性曲线— VGS对ID的控制特性 增强型MOS管特性小结 耗尽型MOSFET 耗尽型MOSFET的特性曲线 场效应三极管的参数和型号 4. 输入电阻RGS (2) 场效应三极管的型号 几种常用场效应三极管的主要参数 双极型三极管与场效应三极管的比较 场效应管放大电路 分压式自偏压电路 小信号分析法 (2)交流分析 （1）偏置电路及静态分析 直流通道 VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2) VGS= VG－VS= VG－IDR ID= IDSS[1－(VGS /VP)]2 VDS= VDD－ID(R+Rd ) 由此可以解出VGS、ID和VDS。 (1)直流分析 低频模型 高频模型 小信号等效