光电器件件第一章.pptVIP

将n0和p0两式代入上式的电中性条件 (1.2.10) (1.2.11) (1.2.12) (1.2.13) (1.2.9) 1.2.3 杂质半导体的载流子浓度 电子占据施主能级ED的几率为 设施主杂质浓度为ND，施主能级上的电子浓度为 电离施主杂质浓度为 （1.2.14） （1.2.15） （1.2.16） 平衡载流子分布 1.2.4 简并半导体及其载流子浓度 如果n 型半导体中施主浓度ND很高, FE 就会与导带底Ec 重合甚至进入导带，此时E?EF k0 T 不再成立,必须用 费米分布函数计算导带电子浓度。 这种情况称为载流子的简并化 （1.2.17） 简并半导体的n0 简并半导体的n0 与非简并半 导体计算类似，只是分布函 数要代入费米分布 （1.2.18） 上式就是简并半导体的n0表达式 什么样的掺杂浓度会发生简并呢？ 简并时NDNC，掺杂浓度很高。 发生简并的ND还与ΔED（EC-EF）有关， ΔED较大则发生简并所需要的ND也大； 3) 简并化只在一定的温度区间内才会发生。 因为 令 式（1.2.18）简化为 → （1.2.19） 迁移率μn：单位电场强度下电子的平均漂移 速度 它的大小反映了电子在电场作用下运动能力的 强弱。 1.3.1 能带弯曲 当材料中存在电场时，能带能量变成了位置的 函数。 1.3 半导体中载流子的