同步整流TriningDQE.pptVIP

PC SBG Peripherals SBU 開關電源中的同步整流技術 DQE Prepare: Xf Liu 2004/5/2 引言 隨著計算機通信设备及新的网络产品市场需求的迅速增长，未来的电源市场是非常乐观的。市场对功率变换器的需求更是呈现迅速上升趋势。功率变换也向低输出电压（最低可低到1.2V）、高输出电流、低成本、高频化（400～500kHz）高功率密度、高可靠性、高效率的方向发展。  整流电路作为開關電源的重要组成部分，对整机性能的影响很大。传统的整流电路采用功率二极管，由于二极管的通态压降较高（典型值有0.4V～0.6V），因此整流损耗较大。而为了满足各种数据处理集成电路对更快速、更低功耗和更高集成度的要求，集成芯片工作电压将进一步降低到1V～3V.在DC/DC变换器输出如此低的电压时，整流部分的功耗占输出功率的比重将更大，致使整机效率更低，成为电源小型化、模块化的障碍。应用同步整流技术，用低导通电阻MOSFET代替常规整流二极管，可以大大降低整流部分的功耗，提高变换器的性能，实现电源的高效率，高功率密度 22 12 8 Pf/Po(%) 1.8 3.3 5 Vo(V) SI-SBD用作輸出整流二極管時Pf/Po於Vo的關係(Vdf=0.4V) DC-DC變換器Pf/Po 於Vo關係(用Vdf=0.1V的同步整流管) 6.66 5.55 3 Pf/Po(%) 1.5 1.8 3.3 Vo(V) 傳統整流方式與同步整流比較 同步整流技术是通过控制功率MOSFET的驱动电路，来利用功率MOSFET实现整流功能的技术。一般驱动频率固定，可达200kHz以上，门极驱动可以采用交叉耦合(Cross-coupled)或外加驱动信号配合死区时间控制实现。  同步整流技术出现较早，但早期的技术很难转换为产品，这是由于当时 1)驱动技术不成熟，可靠性不高，现在技术已逐步成熟，出现了专 用同步整流驱动芯片，如IR1176,ST的STSRX系列(STSR2單端正激變換器用, STSR3FLYBACK變換器用, STSR4則用於推挽,半橋或者全橋變換器使用)；MAXIM公司的MAX505X系列等; (可能出於成本方面的原因,目前公司的全部產品還是採用傳統的自驅動方式,Server中為電壓驅動方式,Adapter中為電流驅動方式) 2)专用配套的低导通电阻功率MOSFET还未投放市场； 3)还未采用MOSFET并联肖特基二极管以降低寄生二极管的导通损耗 (目前大功率的全橋電路,如PS-3701-1,PS-4731-1C,PS-2142-1D的同步整流電路中都有此二極管出現) 4)在产品设计中没有解决分布电感对MOSFET开关损耗的影响。 幾種常見的副邊整流電路 半波整流電路 幾種常見的副邊整流電路 全波整流電路 幾種常見的副邊整流電路 倍流整流電路 幾種常見的副邊整流電路 全橋整流電路 全桥整流比其它三种整流方式多用两个整流管，使导通损耗大大增加，因而不太适合用于低压/大电流输出场合。 不作介紹 MOSFET半波整流(SR)原理波形 MOSFET全波整流原理波形 倍流整流电路的原理分析 早在1919年，“倍流整流”思想在汞弧管整流电路中就有人提出它是从全桥整流方式演化而来,即用两只独立的，数值相同的电感代替全桥整流拓扑中的一组整流管，保持“全桥整流”的形式，经过适当变形，即得到倍流整流拓扑形式 倍流整流拓扑及其原理波形 （1）t0—t1：变压器副边绕组上为正压，SR2处于导通状态，SR1处于关断状态,电感L1上电流上升，L2上电流下降。对应如下关系式：VL1=V2－V0=L1（1）VL2=－V0=L2（2） （2）t1—t2：变压器副边绕组电压为零，整流管SR1、 SR2都导通。通过电感L1、L2的电流都在减小，处于续流状态。对应关系式为VL1=－V0=L1（3）VL2=－V0=L2（4） （3）t2—t3：变压器副边绕组上为负压,功率管SR1 处于导通状态，SR2处于关断态，电感L1上电流下降，L2上电流上升。对应关系式为：VL1=－V0=L1（5）VL2=V2－V0=L2（6） （4）t3—t4：变压器副边绕组电压为零，整流管SR1、SR2都导通。通过电感L1、L2的电流都在减小，处于续流状态。对应电路方程与t1—t2时段相同。 在一个完整的开关周期Ts中，通过电感L1、L2的电流，都是在各自的0～DTs时间段内增加；在（1－D）Ts时间段内减小，且两段时间内电流增加量与减小量相等。对