电子教案2第2章体管及其应用.pptVIP

* * 第2章 晶体管及其应用 (共14学时) 学习目标: 　 晶体管(即半导体三极管)是具有放大作用的半导体器件，它是各种类型放大电路中的重要组成部分。通过本章学习，主要要掌握以下内容： 上半部分（8学时）： 1. 晶体管的基本特性及性能检测； 2. 晶体管放大电路的分析方法； 3. 共射、共集、共基三种放大器性能特点； 下半部分（6学时）： 4. 多级放大器分析方法。 5. 功率放大器特性及其分析方法。 本章内容 2.1 晶体管的基本特性(3学时) 2.2 三极管性能检测(1学时) 2.3 共射放大器(2学时) 2.4 共集与共基放大器(2学时) 2.5 多级放大器(2学时) 2.6 放大器主要性能参数的测试(2学时) 2.7 低频功率放大器(2学时) 2.8 项目设计(放大电路的设计) 本章小结 2.1 晶体管的基本特性 2.1.1 结构类型与电流关系 晶体管由两个PN结构成，根据PN结连接方法的不同，晶体三极管分为PNP型和NPN型两种。 (a)PNP型结构与符号 (b)NPN型结构与符号 晶体三极管在实际应用时，总要将它的三个极组成一个输入端和一个输出端，其中一个极为输入、输出回路的公共端。 图2-2 晶体三极管的三种基本组态 (a)共发射极　(b)共基极　(c)共集电极 晶体管的各极电流关系： IE＝IB＋IC (a)　　　 　(b)　　　　　　　　　　　　　　(c) 　　　　　　　 图2-3 晶体三极管电流分配关系 (a)NPN管　　　　　(b)PNP管　　　　　(c)NPN共射电路 －UCE －UBE －UCB 图2-4 晶体管输入特性与输出特性的测试电路 2.1.2 晶体管的特性曲线 当晶体三极管工作在放大状态时，集电极电流IC是基极电流IB的β倍，即 1.输入特性与转移特性 　　晶体管的输入特性是指以集-射电压uCE为参变量时，基极电流iB和发射结偏压uBE之间的关系，即输入特性函数为 iB＝f(uBE)|uCE＝常数 晶体三极管的转移特性指以集-射电压uCE为参变量时，集电极电流iC和发射结偏压uBE之间的关系。 2. 输出特性 晶体三极管的输出特性是指以基极电流iB(或发射结偏压uBE)为参变量时，集电极电流iC和集-射电压uCE之间的关系。 截止区 图2-.6　晶体三极管的输出特性曲线 S 输出特性曲线可分为三个不同的工作区域：截止区、放大区和饱和区。 各区特点已列于表2-1（参看教材P37） 　例2-1　如图2-7a所示电路，晶体三极管V为硅管，β＝40，VCC＝6V，RC＝3kΩ，RB＝62kΩ。输入电压uI为方波脉冲：低电平UIL＝0V，高电平UIH＝4V。画出输入电压为高、低电平时的等效电路，并求相应的输出电压uO。 图2-7　例2-1 (a)题图　(b)晶体三极管截止时等效电路　 (c) 晶体三极管饱和时等效电路 　例2-2 如图所示电路，晶体三极管V为硅管，β＝50，VCC＝12V，RC＝3kΩ，RE＝1kΩ。判断在下列情况下晶体三极管所处的工作状态：RB＝10kΩ、150kΩ、300kΩ；并求出相应的开路电压Uo 。 图2-.8 例2-2 2.1.3 晶体管的主要参数 1. 电流放大系数β 在放大区内,直流电流放大系数与交流电流放大系数基本相同. 2. 极间反向电流 1)反向饱和电流ICBO ，2)穿透电流ICEO ＝(1＋β)ICBO 。 (a)　　　　　　　　 (b)　　　　　　　　　　　 (c)　　　　　　　　　　　 　(d) 　图2-9 晶体三极管的极间反向电流 　　　　(a)NPN管的ICBO　(b)PNP管的ICBO　(c) NPN管的ICEO 　(d) PNP管的ICEO *