半导体进物理基础4.pptVIP

同理，得 空穴俘获率=空穴产生率 其中 表示EF与Et重合时价带的平衡空穴浓度。 = 复合中心达到稳定时： 俘获电子-发射电子=俘获空穴-发射空穴 - = - 和 又 净复合率： U=俘获电子-发射电子= 通过复合中心复合的普遍公式 - 注意到： 非平衡载流子的寿命为 小注入条件下 分析讨论: (设EtEi) (1)强n型 N0n1 P0,p1可以省略 (2)弱n型 可以省略p0，p1 N1n0 (3)弱p型 P0》n0 ???? (4)强p型 若Et靠近EC：俘获电子的能力增强 不利于复合 Et处禁带中央，复合率最大。 Et=Ei 最有效的复合中心 俘获空穴的能力减弱 大注入 3 其它复合 半导体表面状态对非平衡载流子也有很大影响，表面处的杂质和表面特有的缺陷也在禁带形成复合中心。 （1）表面复合 表面氧化层、水汽、杂质的污染、表面缺陷或损伤。 （2） 俄歇复合 （3） 陷阱效应 一些杂质缺陷能级能够俘获载流子并长时间的把载流子束缚在这些能级上。 俘获电子和俘获空穴的能力相差太大 产生原因： 电子陷阱 空穴陷阱 例题1 化 例2 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的几率。试求这种复合-产生中心的位置，并说明它能否成为有效的复合中心？ 5.5