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第五章 半导体 Semiconductor 5.0 引言 半导体载流子的有效质量 杂质半导体 热平衡载流子分布 半导体的光吸收 半导体界面特性 典型半导体材料的能带结构 5.1 典型的半导体能带结构 5.2电子的有效质量 半导体吸收光谱示意图 5.6半导体光吸收 四、半导体其它光吸收机制 光电器件的光电流为： 一种光电器件的基本电路原理 5.6半导体光吸收 五、半导体的光电导 两种载流子的霍尔效应示意图 B, z y x q J e vx e|vB| B, z y x q J e vx e|vB| 空穴 电子 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 在洛伦兹力的作用下，在垂直于的样品端面上就会形成电荷累积，形成霍尔电场； 电子或空穴受到两个力的作用，一是磁场中的洛伦兹力；一是霍尔电场中的电场力； 达到平衡时，必然是洛伦兹力同电场力相等，所以有： 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 — 霍尔系数 霍尔角的正切为： 电子载流子的霍尔角为， 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 空穴载流子的霍尔系数和霍尔角分别为： 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 B, z t w VH I 霍尔电压测量原理示意图 5.7半导体的磁学性质 一、半导体霍尔（Hall）效应 霍尔电