第4章存器2011新.ppt

4.4.1 概述 1. 特点 不直接与 CPU 交换信息 2. 磁表面存储器的技术指标 道密度 Dt 位密度 Db C = n × k × s 寻道时间 + 等待时间 (1) 记录密度 (2) 存储容量 (3) 平均寻址时间 (4) 数据传输率 (5) 误码率 辅存的速度 寻址时间 磁头读写时间 Dr = D × V 出错信息位数与读出信息的总位数之比 4.4 辅助存储器 4.4.2 磁记录原理和记录方式 1. 磁记录原理 写 局部磁化单元 载磁体 写线圈 S N I 局部磁化单元 写线圈 S N 铁芯 磁通 磁层 写入“0” 写入“1” I 写操作 当写线圈中通过一定方向的脉冲电流时,铁芯内就产生一定方向的磁通.由于铁芯是高导磁率材料,而铁芯空隙处为非磁性材料,帮在铁芯空隙处集中很强的磁场,如图所示.在这个磁场作用下,载磁体就被磁化成相应极性的磁化位或磁化元.若在写线圈里通入相反方向的脉冲电流,就可得到相反极性的磁化元.如果我们规定按图中所示电流方向为写”1”,那么写线圈里通以相反方向的电流时即为写”0”.上述过程称为”写入”.显然,一个磁化元不是一个存储元,一个磁化元中存储一位二进制信息.当载磁体相对于磁头运动时,就可以连续写入一连串的二进制信息. 磁头在磁表面存储信息原理图 演示 I 运动方向 1 I 0 磁性存储器写操作 读操作 读出记录在磁表面上的二进制代码信息,也就是判断载磁体上信息的不同剩磁状态.当磁头经过磁体的磁化元时,由于磁头铁芯是良好的导磁材料,磁化元的磁力线很容易通过磁头而形成闭合磁通回路.不同极性的磁化元在铁芯里的方向是不同的.当磁头对磁体作要相对运动时,由于磁头铁芯中磁通的变化,使用期读出线圈中感应出相应的电动势e,其值为 负号表示感应电势的方向与磁通的变化方向相反.不同的磁化状态,所产生的感应电势方向不同.这样,不同方向的感应电势经读出放大器放大鉴别,就可判知读出的信息是”1”还是”0”.下图示出了记录方式的写读过程波形图. d d t ? e = _ k t ? 演示 磁头在磁表面存储信息原理图 I I 1 0 运动方向 磁性存储器读操作 磁记录原理 N 读线圈 S 读线圈 S N 铁芯 磁通 磁层 运动方向 运动方向 s s t t f f e e 读出 “0” 读出 “1” 读 e o I T t t 1 0 1 1 t 1 1 1 0 0 0 0 0 记录方式的写读波型图 磁性存储原理,通过电-磁变换,利用磁头写线圈中的脉冲电流,可把一位二进制代码转换成载磁体存储元的不同剩磁状态;反之,通过磁-电主变换,利用磁头读出线圈,可将由存储元的不同剩磁状态表示的二进制代码转换成电信号输出.磁层上的存储元被磁化后,它可以供多次读出而不被破坏.当不需要这批信息时,可通过磁头把磁层上所记录的信息全部抹去,称之为写”0”.通常,写入和读出是合用一个磁头,故称之为读写磁头.每个读写磁头对应着一个信息记录磁道。 磁性存储原理总结 2. 磁表面存储器的记录方式 所谓记录方式是指一串二进制信息经过读写电路变换成磁化单元相应的磁化翻转形式从而进行记录的方式。磁记录方式也称为编码方式。 （1）归零制（RZ） 设磁头线圈通过正向电流为记录1，通过反向电流为记录0，在两个相邻的电流脉冲之间有一段距离没有电流（归零），相应地这段磁层也未被磁化，这就是归零制。显然，如采用此记录方式，在写之前必须去磁，否则前后所写的信息会互相干扰。 （2）不归零制（NRZ） NRZ的特点是：记录1时，磁头写线圈通以正电流，记录0时，通以反向电流。如果前一信息与后一信息相同（如00或11）则电流方向不变，如不同（01或10）则电流方向改变。所以也称“是变就翻”。这种磁化翻转次数较RZ制少。 （3）不归零-1制（NRZ1） 这是NRZ的变形。特点是记录1时电流方向改变，记录0时电流方向不变。因此也称“是1就翻不归零制”。所谓翻是指磁化方向翻转（或电流方向改变），NRZ1和NRZ相同，磁头线圈中总有电流通过（即电流不归零）。 （4）调相制（PM） PM从广义上看，也可以看作是NRZ的变形。 其特点：在一个记录位内（在位周期中点处）磁头线圈中的写入电流方向产生变化，由正到负的翻转表示记录1，由负到正表示记录0。也可作相反规定。因为记录1和0相位相差180o，所以称调相制。当连续记录两个以上的1或0时，记录位的起始处也需翻转1次。以保证调相制的实现。 （5）调频制（FM） FM方式的规律：1）在记录位的起始处不论是记录1还是记录0都改变写电流方向；2）在一个记录位的中间处，记录1时改变写电流方向，记录0时不改变写电流方向。显然，记录1时电流变化的频率是记录0时频率的2倍，也称倍频制。 （6）改进的F