第七章 导体存储器.pptVIP

第七章半导体存储器 7.1 概述 2. 存储器的性能指标 a. ROM ： b. RAM（读写存储器） （2）从制造工艺上分类 7.2 只读存储器（ROM） 2. 二极管ROM电路 3. 由CMOS构成 7.2.2 可编程只读存储器（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、 快闪存储器（Flash Memory） 7.3 随机存储器（RAM） 其中： * 本章内容 7.1 概述 7.2 只读存储器（ROM） 7.3 随机存储器（RAM） 7.4 存储器容量的扩展 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 1. 半导体存储器的定义 半导体存储器就是能存储大量二值信息（或称作二值数据）的半导体器件。它是属于大规模集成电路，由于计算机以及一些数字系统中要存储大量的数据，因此存储器是数字系统中不可缺少的组成部分，其组成框图如图7.1.1所示。 输入/出电路 I/O 输入/出控制 图7.1.1 由于计算机处理的数据量很大，运算速度越来越快，故对存储器的速度和容量有一定的要求。所以将存储量和存取速度作为衡量存储器的重要性能指标。目前动态存储器的容量已达109位/片，一些高速存储器的存取时间仅10ns左右。 3. 半导体存储器的分类 （1）从存取功能上分类 从存取功能上可分为只读存储器（Read－Only Memory，简称ROM）和随机存储器（Random Access Memory，简称RAM）。 ROM的特点是在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速随时修改或重新写入数据。其电路结构简单，而且断电后数据也不会丢失。缺点是只能用于存储一些固定数据的场合。 ROM可分为 掩模ROM 可编程ROM（Programmable Read－Only Memory，简称PROM） 可擦除的可编程ROM（Erasable Programmable Read－Only Memory，简称EPROM）。 随机存储器为在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读出数据。 根据采用的存储单元工作原理不同随机存储器又可分为静态存储器（Static Random Access Memory，简称SRAM）和动态存储器（Dynamic Random Access Memory，简称DRAM） SRAM的特点是数据由触发器记忆，只要不断电，数据就能永久保存 。但SRAM存储单元所用的管子数量多，功耗大，集成度受到限制，为了克服这些缺点，则产生了DRAM。它的集成度要比SRAM高得多，缺点是速度不如SRAM。 RAM使用灵活方便，可以随时从其中任一指定地址读出（取出）或写入（存入）数据，缺点是具有数据的易失性，即一旦失电，所存储的数据立即丢失。 从制造工艺上存储器可分为双极型和单极型（CMOS型），由于MOS电路（特别是CMOS电路），具有功耗低、集成度高的优点，所以目前大容量的存储器都是采用MOS工艺制作的。 7.2.1 掩模只读存储器 在采用掩模工艺制作ROM时，其中存储的数据是由制作过程中使用的掩模板决定的，此模板是厂家按照用户的要求专门设计的，因此出厂时数据已经“固化”在里面了。 1. ROM的组成： ROM电路结构包含存储矩阵、地址译码器和输出缓冲器三个部分，其框图如图所示。 存储矩阵是由许多存储单元排列而成。存储单元可以是二极管、双极型三极管或MOS管，每个单元能存放1位二值代码（0或1)，而每一个或一组存储单元有一个相应的地址代码。 地址译码器是将输入的地址代码译成相应的控制信号，利用这个控制信号从存储矩阵中把指定的单元选出，并把其中的数据送到输出缓冲器 输出缓冲器的作用提高存储器的带负载能力，另外是实现对输出状态的三态控制，以便与系统的总线相联。 具有2位地址输入码和4位数据输出的ROM电路。其地址译码器是由4个二极管与门构成，存储矩阵是由二极管或门构成，输出是由三态门组成的。 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 字线 位线 简化画法:凡是有二极管的位置，均用交叉点“.”表示，并且省略电阻、输出缓冲器和电源等符号 注： a. 通常将每个输出的代码叫一个“字”（WORD），W0~W1为字线，D0~D3为位线，其相交叉的点就是一个存储单元，其中有二极管的相当于存1, 没有二极管相当于存0. 因此交叉点的数目即为存储单元数。习惯上用存储单元的数目表