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第三章 存储系统 随机读写存储器 静态MOS存储器(SRAM) 动态MOS存储器(DRAM) 3.2 SRAM存储器 3.2.1 基本静态存储元阵列 静态存储器 SRAM存储器的构成 SRAM存储器的构成 地址译码的两种方式 采用单译码结构的存储单元 采用双译码结构的存储单元矩阵 3.2.1 SRAM存储器 驱动器 I/O电路 片选与读/写控制电路 输出驱动电路 2114逻辑结构图 存储器的读、写周期 存储器的读、写周期 第三章 存储系统 3.3 DRAM存储器 3.3 DRAM存储器 动态存储器 单管DRAM基本存储电路 单管DRAM的存储矩阵 表3.4 单管存储元电路和四管存储元电路对比 DRAM存储元的读、写刷新操作 DRAM存储元的读、写刷新操作 DRAM存储元的读、写刷新操作 DRAM存储元的读、写刷新操作 3.3.2 DRAM芯片的逻辑结构 3.3.2 DRAM芯片的逻辑结构 3.3.3 读/写周期、刷新周期 3.3.3 读/写周期、刷新周期 DRAM的刷新 集中刷新方式 DRAM的刷新 分散刷新方式 DRAM的刷新 异步刷新方式 前两种方式的结合，在规定的刷新时间内将所有单元刷新一遍。 DRAM的刷新 两种标准刷新操作 只用RAS信号刷新； CAS在RAS之前的刷新。 这种方式是在RAS之前使CAS有效，启动内部刷新计数