第七章半导体存器和可编程逻辑器件.pptVIP

第七章 半导体存储器和可编程逻辑器件 第七章上 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 x 位数” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.2.4 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.3.3 存储器容量的扩展 一、 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 二、 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 第七章下 可编程逻辑器件（PLD, Programmable Logic Device） 7.4 PLD概述 7.4.1 PLD的基本电路结构和电路表示方法 一、PLD的基本特点 1. 数字集成电路从功能上有分为通用型、专用型两大类 2. PLD的特点：是一种按通用器件来生产，但逻辑功能是由用户通过对器件编程来设定的 二、PLD的发展和分类 PROM是最早的PLD PAL 可编程逻辑阵列 FPLA 现场可编程阵列逻辑 GAL 通用阵列逻辑 EPLD 可擦除的可编程逻辑器件 FPGA 现场可编程门阵列 ISP-PLD 在系统可编程的PLD 四、PLD中用的逻辑图符号 7.4.2 PAL（Programmable Array Logic） 一、基本结构形式 可编程“与”阵列+固定“或”阵列+输出电路 最简单的形式为： 二、编程单元 出厂时， 所有的交叉点均有熔丝 7.4.3 通用逻辑阵列 GAL 一、 电路结构形式 可编程“与”阵列 + 固定“或”阵列 + 可编程输出电路 OLMC 二、 OLMC 三、 GAL的输入和输出特性 GAL是一种较为理想的高输入阻抗器件 1. IOB 2. CLB 3. 互连资源 7.5.3 PLD的编程 以上各种PLD均需离线进行编程操作，使用开发系统 一、开发系统 硬件：计算机+编程器 软件：开发环境（软件平台） VHDL, Verilog 真值表，方程式，电路逻辑图（Schematic） 状态转换图（ FSM） 二、步骤 抽象（系统设计采用Top-Down的设计方法） 选定PLD 选定开发系统 编写源程序（或输入文件） 调试，运行仿真，产生下载文件 下载 测试 数字 系统 1．与阵列固定，或阵列可编程： 可编程只读存储器PROM或可擦除编程只读存储器EPROM PLD基本结构大致相同，根据与或阵列是否可编程分为三类： 2．与阵列，或阵列均可编程： 可编程逻辑阵列PLA 3．与阵列可编程，或阵列固定： 可编程阵列逻辑PAL、通用阵列逻辑GAL、高密度可编程逻辑器件HDPLD 与门 阵列 乘积项 PLD主体 输入 电路 输入信号 互补 输入 输出函数 反馈输入信号 可由或阵列直接输出， 构成组合； 通过寄存器输出， 构成时序方式输出。 可直接 输出 也可反馈到输入 PLD组成结构基本相似如下： 输出既可以是低电平有 效，又可以是高电平有效。 或门 阵列 和项 输出 电路 三、PLD的基本结构 编程单元 采用E2CMOS 可改写 GAL16V8 数据选择器 GAL输出逻辑宏单元OLMC的组成 输出逻辑宏单元OLMC 由或门、