半导体二极管及其基本电路.pptVIP

* 图 温度对二极管伏安特性的影响 1.3.4 二极管的温度特性 * 小结： 1.3.1 半导体二极管的结构 1.3.2 二极管的伏安特性 1.3.3 二极管的参数 1.3.4 二极管的温度特性 * 1.4 二极管的基本电路及其分析方法 1.4.1二极管电路的简化模型分析方法 1.4.2 二极管电路分析 * 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 理想模型：当二极管正向电压和正向电阻与外接电路的电压与电阻相比均可忽略时，这样的二极管可称为理想二极管。 二极管V-I 特性的建模 * 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 （1）理想模型 （a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型 理想二极管在电路中相当于一个理想开关： 外加电压少大于零，就导通，管压降为0V——开关闭合； 当反偏时，二极管截止，其电阻为无穷大——开关断开。 二极管V-I 特性的建模 * （2）恒压降模型：当二极管的正向压降与外加电压相比不能忽略，可用由理想二极管和电压源UF串联构成的模型来近似替代。 正向压降不再认为是0，而是接近实际工作电压的某一定值UF，且不随电流变化。 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 二极管V-I 特性的建模 （a）V-I特性 （b）电路模型 * （3）折线模型：即考虑二极管的导通电压UF ，又考虑导通后交流电阻。可用由理想二极管、电压源UF和电阻rD串联构成的模型来近似替代。 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 二极管V-I 特性的建模 （a）V-I特性 （b）电路模型 * 例1.4.1：硅二极管电路如图所示，试分别用二极管的理想模型、恒压降模型计算回路中的电流ID和输出电压U0。设二极管为硅管。 + _ 2.用恒压降模型：由于二极管D导通，UON=0.7V，所以 1.用理想模型 判断二极管D导通，管压降为0V 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 * 例1.4.1：二极管电路如图所示，试分别用二极管的理想模型、恒压降模型计算回路中的电流ID和输出电压U0。设二极管为硅管。 + _ 3.采用折线模型 若UD=0.7V，RD=20欧姆 1.4.1 二极管电路的简化模型分析方法 * 总结：二极管状态判断方法 假设D截止(开路)求D两端开路电压 1.4.2 二极管电路分析 * 2CP1（硅）， IF = 1mA， VBR = 40V。求VD、ID。 例1.4.2 1.4.2 二极管电路状态判断 * 正偏 D正向导通！ 解答 2CP1（硅）， IF = 1mA， VBR = 40V。判断二极管工作状态，并求VD、ID。 例1.4.2 (a)正常工作（b）损坏 * 反偏 ID = 0 VD = -10V 反偏： VD = - 100V 反偏： D反向击穿 反偏：D反向截止 解答 2CP1（硅）， IF = 1mA， VBR = 40V。判断二极管工作状态，并求VD、ID。 例1.4.2 * 写出图中所示各电路的输出电压值UO，设二极管导通电压 课堂练习 * 1.5 特殊二极管 1.5.1 稳压二极管 1.5.2 发光二极管 1.5.3 光电二极管 1.5.4 变容二极管 * 1.5.1 稳压二极管 1. 符号及稳压特性 (a)符号 (b) 伏安特性 利用二极管反向击穿特性实现稳压。稳压二极管稳压时工作在反向电击穿状态。 * 1.5.1 稳压二极管 3. 稳压电路 正常稳压时 UO =UZ 稳压二极管的主要参数有稳压电压Uz、额定功耗Pz、稳压电流Iz、动态电阻rz等。 * 发光二极管(LED Light Emitting Diode) 电路符号:在普通二极管电路符号的边上加两个向外发射的箭头 。 1.5.2 发光二极管 * 特点：通以正向电流发光，光亮度随着电流的增大而增强，工作电流为几个毫安到几十毫安，典型工作电流为10mA左右。正向导通电压较大。 原理：利用自由电子和空穴复合时能辐射出可见光 ，采用不同的材料，可分别得到红、黄、绿、橙色光和红外光。常用元素周期表中Ⅲ、Ⅴ族元素的化合物，如砷化镓、磷化镓等。制作材料决定光的颜色（光谱的波长)。 1.5.2 发光二极管 * 电路符号：在普通二极管电路符号的边上加两个朝向管子的箭头。 1.5.3 光敏二极管 * 原理：光敏二极管也叫光电二极管。光敏二极管与半导体二极管在结构上是类似的,其管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此工作时需加上反向电压。无光照