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光学基础知识及 LED 基本理论 第一部分 LED 基本理论知识 （一）LED 发光原理 发光二极管是由Ⅲ-Ⅳ族化合物，如 GaAs （砷化镓）、GaP （磷化镓）、GaAsP （磷砷化镓）等半导体 制成的，其核心是 PN 结。因此它具有一般P-N 结的 I-N 特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外， 在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由N 区注入P 区，空穴由 P 区注入N 区。进入对 方区域的少数载流子 （少子）一部分与多数载流子 （多子）复合而发光，如图 1 所示。 图 1 假设发光是在 P 区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后， 再与空穴复合发光。除了这种发光