化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性及其应用性能研究-西北有色金属.PDF

第46 卷 第9 期 稀有金属材料与工程 Vol.46, No.9 2017 年 9 月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING September 2017 化学气相沉积纯钨材料晶体生长习性 及其应用性能研究 吕延伟 ( 国家钨材料工程技术研究中心 厦门钨业股份有限公司，福建 厦门 361021) 摘 要：本研究结合CVD (chemical vapor deposition, CVD)-W 材料实际应用对其性能及组织结构的要求，详细讨论了 随生长阶段的变化CVD-W 晶体生长习性，获得了CVD-W 表面形貌- 晶粒生长尺寸-表面粗糙度三者与涂层厚度之间的 关系，为CVD-W 材料及技术在半导体行业及相关高温发热及防护领域中的应用和推广提供了借鉴。 关键词：钨；化学气相沉积；生长习性；表面粗糙度 中图法分类号：TG146.4+ 11 文献标识码：A 文章编号：1002- 185X(2017)09-2499-06 纯钨具有熔点高（3410 ℃），密度大（19.32 冶金烧结钨、单晶钨的抗热冲击性能[18-20] ，可经受28 3 2 [2 1] g/cm ），弹性模量高（390~410 GPa ），强度和硬度大 MW/m 的热负荷 。依赖优良的高温发-散热性能， （4300~4500 MPa ），抗高温蠕变性能优良，膨胀系数 CVD-W 可应用于特种医疗，高温发热等领域，如等 低 （4.32×10-6~4.68×10-6 K- 1 ）和蒸汽压低（2000 ℃， 离子和真空电弧装置阴极部件；医疗X 射线阳极靶， 8.15×10-8 Pa ；3000 ℃，约为1×10- 1 Pa ），电子发射能 高温热场电加热管等。 力好 （4.50~ 1.56 eV），导热（175~89 W/(m·K) ）和导 尽管国内外研究者已对 CVD-W 材料的制备、组 [1-3] 电优异等性能 。钨及其合金广泛应用于宇航、核 织结构及应用性能有了诸多研究，但对 CVD-W 材料 [4,5] 电、兵器、化工、电子仪表及机械制造等行业 ，如 柱状晶的特性，如晶体生长习性及演化规律，高温环 高熔点和低蒸汽压使钨材料成为高温、高真空技术 境下组织结构变化特点等，缺乏必要的研究信息，这 [6-9] 不可缺少的材料 ；高密度和好的发射、吸收射线能 不利于 CVD-W 材料应用于半导体溅射靶材、高温零 力使其成为制造 X 射线管靶材和吸收 γ 射线器件的 部件及高温防护涂层领域。本研究结合 CVD-W 产品 [10] 材料 。 应用需求，针对 CVD-W 柱状晶生长过程中微观形貌 化学气相沉积（chemical vapor deposition, CVD ） 变化、晶粒尺寸演变等方面进行研究；基于 CVD-W 技术较好的解决了常规粉末冶金难以获得高纯度 在高温环境下的应用背景，研究其组织结构在高温条 （99.999% 以上），高致密度（密度19.2 g/cm3 以上