- 1、本文档共20页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上
的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成
本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。
光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统 (由
15~20个直径为200~300mm 的透镜组成)和定位系统 (定位精度小于10nm)。
其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的
主要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning )
光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准
确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。
光刻工艺过程
一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准
曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。
1、硅片清洗烘干 (Cleaning and Pre-Baking)
方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙 (热板150~2500C,1~2分钟,氮
气保护)
目的:a、除去表面的污染物 (颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去
水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性 (对光刻胶或者是
HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。
2、涂底 (Priming)
方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积,200~2500C,30秒钟;优点:
涂底均匀、避免颗粒污染; b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS
用量大。
目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。
3、旋转涂胶 (Spin-on PR Coating)
方法:a、静态涂胶 (Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶
剂 (原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%);
b、动态 (Dynamic)。低速旋转 (500rpm_rotationperminute)、滴胶、加速
旋转 (3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。
决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度 (Viscosity),黏度越低,光
刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄;
影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时
间点有关。
一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不
同的光刻胶种类和分辨率):
I-line最厚,约0.7~3μm;KrF 的厚度约0.4~0.9μm;ArF 的厚度约0.2~
0.5μm。
4、软烘 (Soft Baking)
方法:真空热板,85~120℃,30~60秒;
目的:除去溶剂 (4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶
玷污设备;
边缘光刻胶的去除 (EBR,EdgeBeadRemoval)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的
正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的
图形,而且容易发生剥离 (Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去除。
方法:a、化学的方法 (ChemicalEBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂,
喷出少量在正反面边缘出,并小心控制不要到达光刻胶有效区域;b、光学方法
(Optical EBR)。即硅片边缘曝光 (WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成图
形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或特殊溶剂中溶解
5、对准并曝光 (Ali
文档评论(0)