光刻工艺简要流程介绍.pdfVIP

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光刻工艺是半导体制造中最为重要的工艺步骤之一。主要作用是将掩膜板上 的图形复制到硅片上,为下一步进行刻蚀或者离子注入工序做好准备。光刻的成 本约为整个硅片制造工艺的1/3,耗费时间约占整个硅片工艺的40~60%。 光刻机是生产线上最贵的机台,5~15百万美元/台。主要是贵在成像系统 (由 15~20个直径为200~300mm 的透镜组成)和定位系统 (定位精度小于10nm)。 其折旧速度非常快,大约3~9万人民币/天,所以也称之为印钞机。光刻部分的 主要机台包括两部分:轨道机(Tracker),用于涂胶显影;扫描曝光机(Scanning ) 光刻工艺的要求:光刻工具具有高的分辨率;光刻胶具有高的光学敏感性;准 确地对准;大尺寸硅片的制造;低的缺陷密度。 光刻工艺过程 一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准 曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀、检测等工序。 1、硅片清洗烘干 (Cleaning and Pre-Baking) 方法:湿法清洗+去离子水冲洗+脱水烘焙 (热板150~2500C,1~2分钟,氮 气保护) 目的:a、除去表面的污染物 (颗粒、有机物、工艺残余、可动离子);b、除去 水蒸气,是基底表面由亲水性变为憎水性,增强表面的黏附性 (对光刻胶或者是 HMDS-〉六甲基二硅胺烷)。 2、涂底 (Priming) 方法:a、气相成底膜的热板涂底。HMDS蒸汽淀积,200~2500C,30秒钟;优点: 涂底均匀、避免颗粒污染; b、旋转涂底。缺点:颗粒污染、涂底不均匀、HMDS 用量大。 目的:使表面具有疏水性,增强基底表面与光刻胶的黏附性。 3、旋转涂胶 (Spin-on PR Coating) 方法:a、静态涂胶 (Static)。硅片静止时,滴胶、加速旋转、甩胶、挥发溶 剂 (原光刻胶的溶剂约占65~85%,旋涂后约占10~20%); b、动态 (Dynamic)。低速旋转 (500rpm_rotationperminute)、滴胶、加速 旋转 (3000rpm)、甩胶、挥发溶剂。 决定光刻胶涂胶厚度的关键参数:光刻胶的黏度 (Viscosity),黏度越低,光 刻胶的厚度越薄;旋转速度,速度越快,厚度越薄; 影响光刻胶厚度均运性的参数:旋转加速度,加速越快越均匀;与旋转加速的时 间点有关。 一般旋涂光刻胶的厚度与曝光的光源波长有关(因为不同级别的曝光波长对应不 同的光刻胶种类和分辨率): I-line最厚,约0.7~3μm;KrF 的厚度约0.4~0.9μm;ArF 的厚度约0.2~ 0.5μm。 4、软烘 (Soft Baking) 方法:真空热板,85~120℃,30~60秒; 目的:除去溶剂 (4~7%);增强黏附性;释放光刻胶膜内的应力;防止光刻胶 玷污设备; 边缘光刻胶的去除 (EBR,EdgeBeadRemoval)。光刻胶涂覆后,在硅片边缘的 正反两面都会有光刻胶的堆积。边缘的光刻胶一般涂布不均匀,不能得到很好的 图形,而且容易发生剥离 (Peeling)而影响其它部分的图形。所以需要去除。 方法:a、化学的方法 (ChemicalEBR)。软烘后,用PGMEA或EGMEA去边溶剂, 喷出少量在正反面边缘出,并小心控制不要到达光刻胶有效区域;b、光学方法 (Optical EBR)。即硅片边缘曝光 (WEE,Wafer Edge Exposure)。在完成图 形的曝光后,用激光曝光硅片边缘,然后在显影或特殊溶剂中溶解 5、对准并曝光 (Ali

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