变温扩散工艺实验报告.pptxVIP

党纪东 王 虎 2010-7-19日;内 容 概 述; ;定义分凝系数k为： 1.在高温恒温扩散情况下，金属杂质沉淀溶解的速率加快，但在多晶硅衬底里和在重磷扩散的区域内的分凝系数差别不大，使得溶解的杂质不能被全部有效地分凝吸杂到重磷扩散的区域，且此时复合体扩散系数比磷原子扩散系数大，导致多晶硅体内的金属杂质重新形成更高密度的复合中心。另一方面，长时间的恒温过程引起的平衡偏聚使得溶质原子浓度分布不均，导致扩散均匀性较差。;2.在变温扩散工艺中，采取先低温（760℃左右）、再高温（850℃左右）、再低温（760℃左右）的扩散方式。第一步扩散是低温慢扩散，此时k＞＞1，磷原子会堆积在硅片表面，此时晶界扩散起主要作用，杂质原子会通过晶界和位错“管道”逸出；第二步高温扩散，使磷原子穿透SiO2层的速率更快，此时硅中许多杂质会逸出，可以快速有效的溶解金属沉淀或金属复合体，使杂;质原子从不同的形态变为可以快速移动的间隙原子 ，杂质原子以间隙形式进行扩散，造成杂质的耗尽，在此升温过程中，磷原子在晶界的平衡偏聚随温度的升高而迅速降低，趋向于消失状态，但此高温下，在多晶硅衬底和在重磷扩散区域内的分凝系数差别不大；最后一步低温扩散增加了吸杂的驱动力（杂质原子在吸杂区域的分凝），此时金属杂质在不同区域的分凝系;数相差很大，降温过程中产生的过饱和空位在降温过程中和低温状