模电电子技术基础康华光ch32diode.pptxVIP

半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片(a)点接触型 3.3.1 结构类型和符号一、结构类型　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型(1) 点接触型—(b)面接触型(c)平面型阳极(Anode)阴极(Cathode)新符号旧符号(2) 面接触型—(3) 平面型—标记二、符号D1D2Diode 理想二极管伏安特性曲线非线性器件！3.3.2 伏安特性——单向导电性一、理想二极管方程 (PN结方程)IS :反向饱和电流VT =kT/q :温度的电压当量室温（T=300 K）下，VT=26 mV实际理想二、实际二极管伏安特性实际D与理想D两点区别：1)正向(V0)存在死区电压硅：Vth=0.5 VThreshold锗：Vth=0.1 V 阈限　2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown) 雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener （均可逆)3.3.3 主要参数 (1) IF——最大整流电流长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流(2) VBR——反向击穿电压 (3) IR(IS)—— 反向饱和电流硅 (nA)级；锗 (?A)级(4) rd ——动态电阻 rd =?VF /?IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数3.3.4 特殊二极管问题：正偏特性？符号一、稳压二极管 工作条件：（反向击穿区） 反偏电压