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* * * * * * * * * * * * * 手机存储器讲解 2013年8月12日 杨斌 一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器) 二、ROM是只读内存（Read-Only Memory） 相同点：都是数据存储器 区别：RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会 存储器的分类：RAM、ROM 一、RAM 概念：存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 分类：按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。 RAM RAM特点： 1、随机存取：指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。 2、易失性：当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入??静态随机存取存储器 一个长期的存储设备中（例如硬盘）。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会 LPDDR DRAM： Low Power Double Data Rate SDRAM，是DDR SDRAM的一种，又称为 mDDR(Mobile DDR SDRM),是一种面向低功耗内存而制定的通信标准，以低功耗和小体积著称，专门用于移动式电子产品。 LPDDR2 第二代低功耗内存技术LPDDR2的标准规范于2010年12月由JEDEC固态技术协会正式发布。 LPDDR3 第三代低功耗内存技术LPDDR3的标准规范于2012年5月由JEDEC固态技术协会正式发布。 目前主流手机RAM R0M 概念：是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。 分类： ROM又分一次性固化、光擦除和电擦除重写三种类型 1、可编程只读存储器（PROM） 2、可擦可编程序只读存储器（EPROM） EPROM需用紫外光擦除，使用不方便也不稳定。 3、电可擦可编程只读存储器?ROM（EEPROM）其集成度高、功耗低 、体积小 ，又能在线快速擦除?。 R0M： 4、Flash ROM/Memory(NOR Flash 和 NAND Flash) ：快闪存储器。NOR有着较快的数据读取速度，但数据写入速度却很慢。在电子产品中一般作为程序存储器。而NAND虽然数据读取速度比NOR慢，但数据写入速度却比NOR快的多，因此在电子产品中一般作为数据存储器。 NOR Flash用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息。 R0M： NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NORFlash来运行启动代码。 特性： ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。 NAND Flash技术架构解析：SLC MLC TLC 最早期SLC = Single-Level Cell即单层式储存 ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。三星SLC写入速度: 8.5MByte/s，读取速度: 14.3MByte/s。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。MLC = Multi-Level Cell即多层式储存，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。三星MLC写入速度: 4.28-5.59 MByte/s，读取速度: 12.2-12.9 MByte/s。主要由东芝、Renesas、三星使用。  NAND Flash技术架构解析：SLC MLC TLC 2009年TLC架构正式问世，TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500次擦写寿命，目前还没有厂家能做到1000次。TLC芯片虽然储存容量变大，成本低廉许多，但因为效能也大打折扣，因此仅能用在低阶的NAND Flash相关产品上，象是低速快闪记忆卡、小型记忆