合成硼碳氮体系薄膜XPS研究3.PDFVIP

第 14 卷 　第 4 期 无 机 材 料 学 报 Vol . 14 , No . 4 1999 年 8 月 Journal of Inorganic Materials Aug. , 1999 合成硼碳氮体系薄膜的 XPS 研究 1 ,2 1 1 2 雷明凯 　　袁力江 　　张仲麟 　　马腾才 1 ( 大连理工大学材料工程系 　大连 　116024) 2 ( 大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室 　大连 　116024) 摘 　　　要 ( ) 采用 X 射线光电子谱 XPS 分析 300～500 C 等离子体源离子渗氮硼和碳化硼薄膜合成的氮 化硼和硼碳氮薄膜 利用合成薄膜成分可控的特点 , 研究B 、C 、N 对薄膜的XPS 影响 结果表明 , XPS 分析合成氮化硼薄膜能够确定其化学组成 , 但不能确定 sp2 和 sp3 型键合结构特性 ; XPS 分析 硼碳氮薄膜能够确定其成分和结构特性 在较高的工艺温度下 , 等离子体源离子渗氮合成的硼碳 氮薄膜具有 sp2 和 sp3 型复合的键合结构 关 键 词 　硼碳氮薄膜 , 等离子体源离子渗氮 , X 射线光电子谱 分 类 号 　O 484 1 　 引言 氮化硼以其卓越的理化性质在机械 、电子等领域的应用前景非常广泛 硼碳氮三元化合 物具有与氮化硼相似的晶体结构 , 一些理化特性优于氮化硼 目前 , 已有多种方法成功制备 出硼碳氮化合物[ 1 ,2 ] 合成硼碳氮化合物结构的不确定性和不完整性造成了其结构表征的困 [3 ] ( ) 难 虽然 X 射线光电子谱 XPS 能够精确地测定化合物的成分 、含量 , 通过结合能的化学 位移给出构成的信息 , 但在分析 B 、N 体系时 , XPS 研究结果却差别很大[4 ,5 ] 等离子体源离 子渗氮 , 即低能 ( 1～3keV) 、超大剂量 ( 1019 ～1020 ions cm - 2 ) 氮离子注入同步扩散改性技 术 , 具有独立测量和控制注入离子能量 、注入剂量速率和工艺温度等优点 , 在 300～500 C 处 理碳化硼薄膜 , 制备出成分可控的硼碳氮薄膜[6 ,7 ] 从而为 B 、C 、N 体系化合物进行系统的 XPS 分析创造了条件 2 　实验方法 ( ) Ti6Al4V 合金试样 20mm ×20mm ×1mm 经磨光 、抛光后 , 进行空心阴极离子镀硼和 碳化硼两种薄膜 镀料分别选用平均粒度为 10μ μ ( C) m 的硼粉和平均粒度为 60 m 的碳化硼 B4 粉 镀膜工艺条件见文献 [6 ] 镀有厚度为 2～3μ m 硼和碳化硼薄膜的试样 , 用丙酮清洗烘 干后作等离子体源离子渗氮处理 实验用电子回旋共振 ( ECR) 微波等离子体源离子渗氮装 置及其工作原理见文献 [ 8 ] 典型工艺参数见文献 [6 ]