cmos反相容器的分析与设计.pptVIP

例子 先考虑瞬态特性要求 取L=0.6μm, 则Wn=6.9μm, Wp=14.28μm 考察直流特性 思考题 如果根据瞬态特性设计，使Vit=2.1V, 应如何调整器件尺寸满足噪声容限要求？ 如果根据瞬态特性设计，使Vit=2.9V， 应如何调整器件尺寸满足噪声容限要求？ 此时，VNHM小于2.46V，要适当增大NMOS管的沟道宽度Wn，从而减小Vit。 此时，VNLM小于2.46V，要适当增大PMOS管的沟道宽度Wp，从而增大Vit。 3.4 CMOS反相器的设计 为获得最佳性能，常采用全对称设计： 由于电子迁移率大约是空穴迁移率的2倍，有 此时，逻辑阈值、噪声容限、上升/下降时间最优： * 3.4 CMOS反相器的设计 实际情况：不可能获得完全对称设计 输入信号较差：考虑噪声容限 负载电容较大：考虑速度 对于大部分内部电路(扇出为1)：考虑面积 * 作业 P71：习题3.4 * 电感式耦合 电容耦合 电源和地的噪音 3.2.3 CMOS反相器的直流噪声容限 如果Kr=1, VTN=－VTP=VT 采用对称设计的CMOS反相器有相同的输入高电平和输入低电平的噪声容限。 * 3.2.3 CMOS反相器的直流噪声容限 由逻辑阈值确定噪声容限： 若Vit=VDD/2， VNHM =VNLM＝VDD/2。 实际情况，VNHM?VNLM，最大直流噪声容限由 min