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5.1 金属－氧化物－半导体场效应管 一、N沟道增强型MOSFET 一、N沟道增强型MOSFET 增强型MOS管特性曲线小结 耗尽型MOS管特性曲线小结 作 业 5.1.1 5.1.2 * 5.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 5.1.1 N沟道增强型MOSFET 5.1.5 MOSFET的主要参数 5.1.2 N沟道耗尽型MOSFET 5.1.3 P沟道MOSFET 5.1.4 沟道长度调制效应 金属－氧化物－半导体场效应管(Metal Oxide Semiconductor FET) ——MOSFET，又称绝缘栅场效应管，简称MOS管。 耗尽型: 存在导电沟道， 分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道 增强型： 没有导电沟道， = 0。 = D i 时， 0 GS v 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 一、N沟道增强型MOSFET 1. 结构（N沟道） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 1、结构和符号 P 型衬底 G B ○ ○ ○ ○ G D S B 衬底引线 绝缘层SiO2