模拟电子技术0CH05.ppt

5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析（肯定工作在饱和区） （1）模型 静态值 （直流） 动态值 （交流） 非线性失真项 当，vgs 2(VGSQ- VT )时， 高次项会增加新的频率分量 交流和直流量分开 由于有输入与输出量的关系式，可以此法求动态关系 5.2.1 MOSFET放大电路 3. 小信号模型分析 （1）模型 ?=0时 高频小信号模型 同样也可以用双端口的方法推导 解： 先求静态工作点： 确认工作于饱和区 由于gm小 FET管的Av小 共源极电路是反相放大 负的放大倍数 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s 带源极电阻电路分析 3. 小信号模型分析 解：例5.2.2的直流分析已求得： （2）放大电路分析（例5.2.5） s 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.5） s （除掉vgs） 放大倍数在输入电阻上的分压 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏极电路分析 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析（例5.2.6） 共漏 注意共漏极时vGS的位置 共漏同共集 源极跟随器 电压增益小于1近似等于1 3. 小信号模型分析 （2）放大电路分析 ! *5.2.2 带PMOS负载的NMOS放大电路 本小节不作教学要求，有兴趣者自学 end 5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结