第一章3_场效应管..pptVIP

Chapter 4 §1.5 场效应晶体管 绝缘栅场效应晶体管（MOSFET ） 结型场效应晶体管 （JFET ） 场效应晶体管的参数 1.5.1 绝缘栅场效应晶体管 N沟道增强型MOSFET N沟道耗尽型MOSFET P沟道增强型MOSFET P沟道耗尽型MOSFET 1.5.3 双极型和场效应型晶体管的比较 思考： 小结与要求 * 思考的问题： 三极管工作时，总是从信号源吸取电流,它是一种电流控制型的器件，输入阻抗较低。 那么，场效应管是通过什么方式来控制的？有什么特点？ × 场效应管晶体管（Field Effect Transistor——FET）是利用电场效应来控制的有源器件，它不仅兼有一般半导体管体积小、重量轻、耗电省、寿命长的特点，还具有输入电阻高（MOSFET最高可达1015Ω）、噪声系数低、热稳定性好、工作频率高、抗辐射能力强、制造工艺简单等优点。在近代大规模和超大规模集成电路（IC）以及微波电路中得到广泛应用。 按照结构特点，场效应晶体管可分两大类： 绝缘栅型场效应管（IGFET） 结型场效应管（JFET） 绝缘栅型场效应管中应用最多的是以二氧化硅作为金属（铝）栅极和半导体之间的绝缘层 ，又称金属-氧化物-半导体场效应管，简称MOSFET ( Metal-Oxi