MBE的工作原理及优缺点解析.pptxVIP

MBE的工作原理及优缺点;概述;分子束外延(Molecular Beam Epitaxy，简称MBE);发展过程;MBE设备;MBE的生长系统;生长室;基本原理;1. 源蒸发形成具有一定束流密度的分子束并高真空下射向衬底； 　　2. 分子束在衬底上进行外延生长。从生长过程看，MBE有三个基本区域：分子束产生区、各分子束交叉混合区、反应和晶化过程区。 　　3. 从源射出的分子束撞击衬底表面被吸附 　　4. 被吸附的分子（原子）在表面迁移、分解 　　5. 原子进入晶格位置发生外延生长 　　6. 未进入晶格的分子因热脱附而离开表面 ;MBE优点;6分子束使用超高真空： a. 高真空使原子的平均自由程超过蒸发距离，使淀积率高，膜致密； b.超高真空使外延层缺陷密度降低； c. 超高真空才会使膜质高纯。 d. 高真空，可用多种表面分析仪器（例如四 极质谱仪、反射式高能衍射仪、俄歇电子谱仪、二次 离子谱仪和X射线光电子能谱仪等。）对外延生长表面情况、外延层结晶学和电学性质等进行原位检测和质量评价。这保证了外延层质量。 7由于基本能够旋转，保证了外延膜的均匀性。 8特别适合于薄层外延，过渡区窄. ;MBE缺点;对温度控制要求高 温度太低：可能生长出多晶或非晶 温度太高：会使吸附的原子再次蒸发而脱落 MEE技术自1986年问世以来有了较大的发展，但在生长III-V族化合物超薄层时，常规MBE技术存在两个问题：1.生长异质结时，由于大量的原子台阶，其界面呈原子级粗糙，因而导致器件的性能恶化;2.由于生长温度高而不能形成边缘陡峭的杂质分布，导致杂质原子的再分布（尤其是p型杂质）。其关键性的问题是控制镓和砷的束流强度，否则都会影响表面的质量。这也是技术难点之一。 ;