感应耦合等离子体刻蚀p2G.PDFVIP

第 57 卷 第 2 期 2008 年 2 月 物 　理 　学 　报 Vol . 57 ,No . 2 ,February ,2008 ( ) 10003290200857 02 112805 ACTA PHYSICA SINICA 2008 Chin . Phys. Soc . 感应耦合等离子体刻蚀 pGa N 的表面特性 吕　玲 　龚 　欣 　郝 　跃 ( 西安电子科技大学微电子学院 ,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室 ,西安 　710071) (2007 年 3 月 31 日收到 ;2007 年 6 月 21 日收到修改稿) ( ) 　　研究了pGaN 材料经感应耦合等离子体 ICP 刻蚀后的表面特性 ,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理. 利用 ( ) ( ) 原子力显微镜 AFM 和 X 射线光电子能谱 XPS 对刻蚀样品进行分析 ,并在样品表面制作 NiAu 电极 ,进行欧姆接 触特性的测试. 实验结果表明了NaOH 溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的. 关键词 : GaN , 感应耦合等离子刻蚀 , 表面处理 , 欧姆接触 PACC : 7280E , 6170 有一种成熟的方法可以很好解决这一问题. 本文着 1 引 言 重研究经过 ICP 刻蚀后的材料表面特性 , 以及不同 的表面处理方法对 pGaN 表面形态的影响 , 同时研 GaN 是一种宽禁带的半导体材料. 由于其优异 究处理后的材料其欧姆接触的效果. 的物理特性 ,如大的热导率和介电常数 ,高的电子饱 和速度 , 以及稳定的化学性质 ,在微电子和光电子器 2 实 　验 件领域中有很大的应用前景. 特别是 pGaN 掺杂取 得突破性进展后 , GaN 薄膜材料开始被用于短波长 本文研究所采用的 GaN 材料 由金属有机物化 ( ) ( ) 的发光器件 、紫外探测器 、大功率微波器件和高温电 学气相淀积技术 MOCVD 生长获得 :在 0001 晶面 子器件 的制备 中. 氮化物基异质结双极 晶体 管 的蓝宝石衬底上依次生长了20 nm 的低温 GaN 缓冲 (HBT) 由于 ⅢV 氮化物材料的内在特性及 HBT 器 层 ,900 nm 厚 的非掺杂 GaN 以及 360 nm 的 p 型 ( ) 件的线性度被认为是高温大功率应用的理想器件. GaN . 生长中分别以三 甲基镓 TMG 和氨气作为 Ga +