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半导体发光材料和器件 　　基本资料 　　半导体发光材料和器件 　　作者： 方志烈 　　出版社： 　　出版年： 1992年01月第1版 　　页数： 　　定价： 　　装帧： 　　ISAN： 　　内容简介 　　本书论述发光二极管、半导体激光器及其材料的基本特性、发光原理、制备工艺、测试方法等方面的知识。 　　书??目： 　　举报失效目录 　　超星 　　第一章 光、光度学和色度学 　　1.1 光的本质 　　1.2 光的产生 　　1.3 光度学 　　1.4 色度学 　　第二章 半导体发光材料晶体导论 　　2.1 晶体结构 　　2.2 能带结构 　　2.3 半导体晶体材料的电学性质 　　2.4 半导体发光材料的条件 　　第三章 单晶的熔体生长 　　3.1 相图 　　3.2 砷-镓体系的P-T-x相图 　　3.3 P-T-x相图在制备砷化镓晶体中的应用 　　3.4 水平布里支曼法生长砷化镓单晶 　　3.5 液体密封法从熔体中直接生长砷化镓单... 　　3.6 液封直拉砷化镓的掺杂控制 　　3.7 半绝缘砷化镓单晶生长 　　3.8 用高压单晶炉生长GaP、InP等单晶材料... 　　3.9 合成溶质扩散法(SSD法) 　　第四章 半导体的激发与发光 　　4.1 PN结及其特性 　　4.2 注入载流子的复合 　　第五章 半导体发光材料 　　5.1 砷化镓 　　5.2 磷化镓 　　5.3 氮化镓 　　5.4 磷砷化镓 　　5.5 镓铝砷 　　5.6 其它发光材料 　　5.7 半导体发光材料的比较 　　第六章 气相外延生长 　　6.1 卤化物气相外延 　　6.2 金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 　　6.3 分子束外延(MBE) 　　第七章 液相外延生长 　　7.1 液相外延(LPE)概论 　　7.2 液相外延原理 　　7.3 液相电外延 　　7.4 电学及光学性能的控制 　　7.5 表面形貌 　　7.6 砷化镓的液相外延 　　7.7 磷化镓的液相外延 　　7.8 镓铝砷的液相外延 　　7.9 碳化硅的液相外延 　　第八章 发光二极管制造技术 　　8.1 材料 　　8.2 光刻技术 　　8.3 氮化硅生长 　　8.4 扩散 　　8.5 欧姆接触电极 　　8.6 切割 　　8.7 装架和键合 　　8.8 封装 　　第九章 半导体发光器件设计 　　9.1 电学设计 　　9.2 热学设计 　　9.3 光学设计 　　9.4 视觉因素 9.5 点发光器件 　　9.6 简单组合器件 　　9.7 字符显示器 　　9.8 平板显示屏 　　第十章 半导体发光器件的应用 　　10.1 发光二极管与光电子学 　　10.2 发光二极管的驱动方法 　　10.3 发光二极管单管的应用 　　10.4 字符显示器的驱动和应用 　　10.5 大型固体显示屏幕应用 　　10.6 光电耦合器件及其应用 　　第十一章 光纤通信用半导体激光器 　　11.1 镓铝砷半导体激光材料和器件 　　11.2 镓铟砷磷材料和激光器 　　第十二章 光纤通信用的红外发光二极管 　　12.1 短距离光纤通信用发光二极管 　　12.2 中距离光纤通信用的发光二极管 　　第十三章 半导体发光器件的可靠性