半导体材料基本性质1.pptVIP

当WLp时，上式可简化为： 非平衡载流子浓度在样品内呈线性分布 其浓度梯度为 扩散流密度式为： 3. 扩散电流密度式 空穴与电子的扩散电流密度式 1.7.3 扩散系数与迁移率的关系——爱因斯坦关系式 电子和空穴的漂移电流密度 扩散电流和漂移电流叠加在一起构成半导体的总电流。则有： 1.7.4 扩散长度的物理意义 当x=Lp， 每个非平衡空穴所扩散的平均长度 扩散长度可由扩散系数和寿命算出扩散长度可由扩散系数和寿命算出 1.7.5 连续性方程 仍以N型半导体为例，就一维情况进行讨论，如图下所示。 由于扩散，单位时间单位体积中积累的空穴数为： 由于漂移运动，单位时间单位体积中积累的空穴数为： 单位体积内空穴随时间的变化率应当是单位体积内空穴随时间的变化率应当是 电子的连续性方程式： 1.4.3 杂质半导体的载流子浓度 在室温下对杂质半导体来说，要同时考虑杂质激发和本征激发两种结构，杂质半导体载流子的产生情况如图 杂质半导体中的杂质激发和本征激发 a） N型半导体 b）P型半导体 对于N型半导体，其少数载流子的浓度p为 对于P型半导体，其少数载流子的浓度n为 1.4.4 杂质半导体的费米能级及其与杂质浓度的关系 杂质半导体费米能级位置 a）本征半导体 b）N型半导体 c）P型半导体 1.4