半导体物理 吉林大学 半物第七章..pptVIP

通常用表面复合速度来表征表面复合作用的强弱。我们把单位时间内在单位面积上复合掉的非平衡载流子数，称为表面复合率。实验证明，表面复合率=s·Δp. 比例系数s具有速度的量纲，称为表面复合速度。 s一个直观的意义：由于表面复合而失去的非平衡载流子数目，就如同在表面处的非平衡载流子都以大小为s的垂直速度流出了表面. 1、概念：表面复合是指在半导体表面发生的复合过程，这种复合是通过表面处的杂质和表面特有的缺陷在禁带中形成的表面能级进行的。这种表面能级也是一种复合中心。因此，表面复合实际上也是一种间接复合过程，只不过是复合中心在样品的表面。 2、表面复合对非平衡载流子稳态分布的影响： 考虑一个表面为矩形的片状N型样品，如图7.15所示。假定光照射在样品中被均匀地吸收，电子-空穴对的产生率为G。若无表面复合，在达到稳定的情况下，样品中的过剩空穴是均匀分布的，既Δp是与位置无关的常数。设想x=±a的表面存在表面复合，表面复合速度都是s， 引起扩散。 则稳定情况下，空穴的连续性方程为 显然，过剩空穴在x方向上相对于原点是对称分布的。于是， 方程的解为 其中，A是待定常数。 在这个问题中，表面复合作为边界条件决定过剩空穴的分布。在x=±a两个表面的边界条件是: 即: 所以: 流向表面的扩散流密度等于表面复合率 考虑了表面复合，实际测得的寿命应是体内复合和表面复合综合效果。设这两种复合是单独平行发生的，用 表示体内复合寿命， 表示表面复合寿命，则总的复合几率为： 其中 称为有效寿命。 表面复合具有重要的意义。半导体器件表面复合速度若高，会使更多的注入的载流子在表面复合消失，严重影响器件的性能。因而在大多数器件生产中，希望获得良好且稳定的表面，以尽量降低表面复合速度，从而改善器件的性能。而在某些物理测量中，为了消除金属探针注入效应的影响，要设法增大表面复合，以获得较准确的测量结果。 Page 200 表面复合对非平衡载流子衰减过程的影响： 存在表面复合情况下，如果去掉光照，非平衡载流子浓度如何随时间衰减？ 本课不讨论 §7.7 直接辐射复合 导带的电子直接跃迁到价带中的空状态，实现电子-空穴对的复合，同时发射光子，这种直接复合过程，称为直接辐射复合，或称为带间辐射复合。 一、复合率和产生率 在带间辐射复合过程中，单位时间内，在单位体积中复合的电子-空穴对数R，应该与电子浓度n及空穴浓度p成正比： 式中，R为复合率，比例系数 称为复合系数。 实际上是一个平均量，它代表不同热运动速度的电子和空穴复合系数的平均值。在非简并半导体中，电子和空穴的运动速度都遵循波尔兹曼分布，则在一定温度下平均值 有完全确定的值，与电子和空穴的浓度无关。 上述直接复合过程的逆过程是电子-空穴对的产生过程，即，价带中的电子向导带中空状态的跃迁。一般情况下，导带电子浓度n和价带空穴浓度p影响产生率G。但在非简并情况下，我们近似地认为，价带基本上充满电子，而导带基本上是空的，产生率G与载流子浓度n和p无关。因此，在所有非简并情况下，产生率基本上是相同的，就等于热平衡时的产生率G0。 在热平衡时，电子和空穴的复合率R0应等于产生率G0 由此，可得出产生率 二、净复合率和寿命 非平衡情况下，G≠R，电子-空穴对的净复合率U为 净复合率U代表非平衡载流子的复合率，它与非平衡载流子寿命 显然，在一定温度下，禁带宽度越小的半导体，寿命越短。 一、少子的扩散(一维情况下) 假设半导体中的电场很弱，少子的漂移运动可以被忽略,只需考虑它们的扩散运动，则有 解得 其中 A和B是两个由边界条件确定的常数. 一维稳定扩散情况下， 非平衡少子的连续性方程 光 照 图7.7 非平衡少子的扩散 如图7.7所示，用光照射N型半导体表面。设光只在表面极薄的一层内被吸收，在该薄层内产生电子－空穴对。光照产生的非平衡载流子将由表面向内部扩散。假定在x=0的表面，非平衡空穴浓度保持恒定值。设样品的厚度为w。 1、厚样品(wLp) 非平衡空穴在扩散到x=w的表面之前，几乎全部因复合而消失。当 x无限增大时, Δp趋近于零。因此，必有B=0。由x=0 ,Δp=Δp0 ; 可确定A=Δp0 . 于是有 上式表示,非平衡空穴浓度随着离注入点距离的增加按指数衰减. Lp标志着非平衡空穴在复合前由扩散而深入样品的平均距离 称为空穴的扩散长度。容易验证其等于Lp . ：扩散长度是由扩散系数和材料的载流子寿命决定的。 将 带入，则空穴扩散流密度为 空穴的流密度等于它们的运动速度和浓