半导体物理 吉林大学 半物第五章..pptVIP

图5.5 硅中导带的六个能谷和它们的主轴方向 ml mt mt mt ml ml ⒉总的电流密度和电导率(以硅为例) 硅的导带有六个能谷（3组），它们在布里渊区内部六个100方向上。等能面是以这些轴为旋转轴的旋转椭球面 令ml表示沿旋转主轴方向上的纵向有效质量，mt表示垂直于旋转主轴方向的横向有效质量，则有m1=ml和m2=m3=mt. 如果用μl和μt分别代表纵向迁移率和横向迁移率,则可得出: 在各个能谷中,μl和μt的数值都是相等的,但是它们对应于晶体中不同的方向. 在同一个对称轴上的两个能谷，它们的能量椭球主轴方向是一致的，可以作为一组来考虑，若用n表示电子浓度，则每组能谷的电子浓度是n/3。总的电流密度应是三组能谷电子电流密度之和，因此 或者写成 这个结果说明总的电流密度和电场的方向是一致的.因此,电导率是标量. 则有 mc称为电导有效质量. 电导率σ的表示式为 3.迁移率及电导率与杂质浓度和温度的关系 ⑴迁移率 ⅰ 掺杂浓度一定（饱和电离）时,μ大→σ大,即导电能力强; 其中弛豫时间て与散射机构有关（散射几率大时，迁移率小）。 例：一般情况下μn μp，因此,npn比pnp的晶体管更适合于高频器件. 对于MOS器件, n沟道器件比p沟道器件工作速度快. ⅱ 迁移率μ的公式为 补充： ② ③ 几种散射同时存在时，有: 实际的弛豫时间て及迁移率μ由各种散射机构中最小的弛豫时间和迁移率决定，此时相对应的散射最强. ① ⅲ 与温度的关系： 讨论：1. 在高纯材料中： 以上时，㏒μ~ ㏒ T 的关系曲线为线性，表明 μ是 T 的幂函数. 可见，随着T的增大,μ 下降的速度要比声学波散射的T-3/2的规律要快，这是因为长光学波散射也在起作用，是二者综合作用的结果。 2. 在掺有杂质的半导体中： T一定（室温）时，由 ㏒μ~ ㏒ N 关系曲线，得 GaAs Ge Si ㏒μ 102 1018 1019 ㏒ N 与掺杂浓度的关系： 若掺杂浓度一定， ㏒μ~ T 的关系为： -100 200 0 100 1015cm-3 ㏑μn 1013cm-3 1016cm-3 1017cm-3 1018cm-3 1019cm-3 T（℃） （Si中电子迁移率） 与温度的关系： NI ↑→电离杂质散射渐强→ μ随T 下降的趋势变缓 NI很大时（如1019cm-3）,在低温的情况下, T↑,μ ↑（缓慢）,说明杂质电离项作用显著;在高温的情况下, T↑,μ↓，说明晶格散射作用显著. NI很小时,[1013(高纯) —1017cm-3(低掺)]. BNI /T3/2CT3/2. 所以，随着温度的升高，迁移率μ下降。即T↑，μ↓。此时晶格散射起主要作用。 -100 200 0 100 1015cm-3 ㏑μn 1013cm-3 1016cm-3 1017cm-3 1018cm-3 1019cm-3 总之：低温和重掺杂时，电离杂质散射主要影响因素; 高温和低掺杂时，晶格振动散射为主要影响因素. （2）电导率 ⅰ 与温度的关系： 1/T 饱和区 本征区 杂质电离 ㏑σ ① 低温区： T↑ n↑ μ↑.(电离杂质散射). 主要由n~T 的变化决定. ㏑σ~ 1/T为一条直线，其斜率为 无补偿 有补偿 确定电离能EI 的方法 ② 温度升高到杂质饱和电离区： n基本不变，晶格振动散射是主要的。随着温度T的升高,迁移率μn下降,电导率σ也下降。即 T↑ → μn↓ → σ ↓ ③ 进入本征区后： 随着温度T的升高，载流子浓度n以e指数的形式增加，而迁移率μn以幂指数的形式下降,电导率σ也上升。即 T↑ →n ↑, μn↓ → σ↑ 1/T 饱和区 本征区 杂质电离 ㏑σ 作lnσ～1/T的关系曲线，为一条直线，根据其斜率-Eg/2k可确定出禁带宽度（对应于哪一个温度？）。 ⅱ 与杂质浓度的关系： 轻掺杂情况下(1016~1018cm-3),可认为300k时，杂质饱和电离. 所以n ≈ Nd, p ≈ Na，或n ≈ Nd – Na , p ≈ Na –Nd (轻补偿). 以N型半导体为例： ㏑ρ=-㏑Nd -㏑eμn 其中，μn随杂质浓度变化不大，低温时才显著。 ㏑ρ~㏑Nd 为直线，如书P.121，图5.7所示。 我们可直接进行ρ~Nd之间的换算，这在器件设计时有重要的作用。 图5.7